[發明專利]晶體振蕩器有效
| 申請號： | 201410261203.6 | 申請日： | 2014-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN104038156B | 公開（公告）日： | 2017-01-11 |
| 發明（設計）人： | 陳春平 | 申請（專利權）人： | 珠海市杰理科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H03B5/04 | 分類號： | H03B5/04 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 王程 |
| 地址： | 519085 廣東省珠海市吉*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體振蕩器 | ||
1.一種晶體振蕩器，其特征在于，包括幅度控制電路、反相放大器、反饋電阻，所述反相放大器的輸出端連接所述幅度控制電路的輸入端，所述幅度控制電路的輸出端連接所述反相放大器的電流偏置端，所述反饋電阻的一端連接所述反相放大器的輸入端，所述反饋電阻的另一端連接所述反相放大器的輸出端。
2.根據權利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述幅度控制電路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一參考電流源、第二參考電流源、運算放大器、第一電流鏡、第二電流鏡；
所述第一MOS管的漏極、所述第一MOS管的柵極、所述第二MOS管的柵極、所述第三MOS管的源極、所述運算放大器的正端相互連接，所述第一MOS管的源極連接所述第一電流鏡的輸出端，所述第一電流鏡的輸入端連接所述第一參考電流源的一端，所述第一參考電流源的另一端分別連接所述第三MOS管的漏極、所述第二電流鏡的輸入端、所述第二參考電流源的一端，所述第二參考電流源的另一端分別連接所述第二MOS管的漏極、所述第三MOS管的柵極，所述第二電流鏡的輸出端連接所述反相放大器的電流偏置端，所述運算放大器的負端、所述運算放大器的輸出端、所述第四MOS管的柵極、所述第五MOS管的漏極、所述第五MOS管的柵極相互連接，所述第四MOS管的源極接地，所述第四MOS管的漏極連接所述第二電流鏡的接地端，所述第五MOS管的源極連接所述反相放大器的輸出端。
3.根據權利要求2所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第一電流鏡包括第六MOS管、第七MOS管；
所述第六MOS管的漏極、所述第六MOS管的柵極、所述第七MOS管的柵極相互連接，所述第六MOS管的源極、所述第七MOS管的源極分別接地，所述第六MOS管的漏極還連接所述第一參考電流源的一端，所述第七MOS管的漏極連接所述第一MOS管的源極。
4.根據權利要求2或3所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第二電流鏡包括第八MOS管、第九MOS管；
所述第八MOS管的漏極、所述第八MOS管的柵極、所述第九MOS管的柵極相互連接，所述第八MOS管的源極、所述第九MOS管的源極分別連接是所述第二參考電流源的一端，所述第九MOS管的漏極連接所述反相放大器的電流偏置端，所述第八MOS管的漏極連接所述第四MOS管的漏極。
5.根據權利要求4所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述幅度控制電路還包括第一電容器、第二電容器、第三電容器、濾波電阻；
所述濾波電阻連接在所述第八MOS管的柵極和所述第九MOS管的柵極之間，所述第一電容器連接在所述運算放大器的輸出端和地之間，所述第二電容器連接在所述第八MOS管的源極和所述第九MOS管的柵極之間，所述第三電容器連接在所述第九MOS管的漏極和地之間。
6.根據權利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，還包括微調電容陣列；
所述微調電容陣列包括第一引出端、第二引出端、控制端，所述第一引出端連接所述反相放大器的輸入端，所述第二引出端連接所述反相放大器的輸出端，所述控制端連接外部的寄存器。
7.根據權利要求6所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述微調電容陣列還包括第一電容陣列、第二電容陣列；
所述第一電容陣列、所述第二電容陣列分別包括兩個以上的并聯的電容器，各所述電容器分別串聯一個寄存器控制接口，各所述寄存器控制接口分別連接外部的寄存器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于珠海市杰理科技股份有限公司，未經珠海市杰理科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410261203.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
