[發(fā)明專利]晶體振蕩器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410261203.6
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN104038156B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳春平
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海市杰理科技股份有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 王程

1.一種晶體振蕩器，其特征在于，包括幅度控制電路、反相放大器、反饋電阻，所述反相放大器的輸出端連接所述幅度控制電路的輸入端，所述幅度控制電路的輸出端連接所述反相放大器的電流偏置端，所述反饋電阻的一端連接所述反相放大器的輸入端，所述反饋電阻的另一端連接所述反相放大器的輸出端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述幅度控制電路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一參考電流源、第二參考電流源、運算放大器、第一電流鏡、第二電流鏡；

所述第一MOS管的漏極、所述第一MOS管的柵極、所述第二MOS管的柵極、所述第三MOS管的源極、所述運算放大器的正端相互連接，所述第一MOS管的源極連接所述第一電流鏡的輸出端，所述第一電流鏡的輸入端連接所述第一參考電流源的一端，所述第一參考電流源的另一端分別連接所述第三MOS管的漏極、所述第二電流鏡的輸入端、所述第二參考電流源的一端，所述第二參考電流源的另一端分別連接所述第二MOS管的漏極、所述第三MOS管的柵極，所述第二電流鏡的輸出端連接所述反相放大器的電流偏置端，所述運算放大器的負(fù)端、所述運算放大器的輸出端、所述第四MOS管的柵極、所述第五MOS管的漏極、所述第五MOS管的柵極相互連接，所述第四MOS管的源極接地，所述第四MOS管的漏極連接所述第二電流鏡的接地端，所述第五MOS管的源極連接所述反相放大器的輸出端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第一電流鏡包括第六MOS管、第七M(jìn)OS管；

所述第六MOS管的漏極、所述第六MOS管的柵極、所述第七M(jìn)OS管的柵極相互連接，所述第六MOS管的源極、所述第七M(jìn)OS管的源極分別接地，所述第六MOS管的漏極還連接所述第一參考電流源的一端，所述第七M(jìn)OS管的漏極連接所述第一MOS管的源極。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第二電流鏡包括第八MOS管、第九MOS管；

所述第八MOS管的漏極、所述第八MOS管的柵極、所述第九MOS管的柵極相互連接，所述第八MOS管的源極、所述第九MOS管的源極分別連接是所述第二參考電流源的一端，所述第九MOS管的漏極連接所述反相放大器的電流偏置端，所述第八MOS管的漏極連接所述第四MOS管的漏極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述幅度控制電路還包括第一電容器、第二電容器、第三電容器、濾波電阻；

所述濾波電阻連接在所述第八MOS管的柵極和所述第九MOS管的柵極之間，所述第一電容器連接在所述運算放大器的輸出端和地之間，所述第二電容器連接在所述第八MOS管的源極和所述第九MOS管的柵極之間，所述第三電容器連接在所述第九MOS管的漏極和地之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，還包括微調(diào)電容陣列；

所述微調(diào)電容陣列包括第一引出端、第二引出端、控制端，所述第一引出端連接所述反相放大器的輸入端，所述第二引出端連接所述反相放大器的輸出端，所述控制端連接外部的寄存器。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述微調(diào)電容陣列還包括第一電容陣列、第二電容陣列；

所述第一電容陣列、所述第二電容陣列分別包括兩個以上的并聯(lián)的電容器，各所述電容器分別串聯(lián)一個寄存器控制接口，各所述寄存器控制接口分別連接外部的寄存器。