[發明專利]光纖氫氣傳感器及其制作方法

有效

• 申請號: 201410260872.1
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN103994985B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發明（設計）人: 甘中學;仵浩
• 申請（專利權）人: 寧波市智能制造產業研究院
• 主分類號: G01N21/45
• 分類號: G01N21/45
• 代理公司: 廣州天河萬研知識產權代理事務所(普通合伙)44418
• 代理人: 劉強,陳軒

1.一種光纖氫氣傳感器，其特征在于，包括入射光纖、反射光纖和氫敏感膜；所述入射光纖的其中一端與所述反射光纖相互連接并且開設有氫氣收容腔，所述反射光纖的端面覆蓋所述氫氣收容腔的開口，并作為反射端面；所述氫氣收容腔的腔體的至少兩個相對的側壁分別形成有氣孔，且所述至少兩個相對的側壁的氣孔分別交錯設置；所述氫敏感膜設置在所述氫氣收容腔的內表面，并且所述氫敏感膜具有多個凹陷部，所述多個凹陷部分別與所述多個氣孔相對設置。

2.如權利要求1所述的光纖氫氣傳感器，其特征在于，所述氫氣收容腔為沿所述入射光纖的纖芯的延伸方向開設的腔體。

3.如權利要求2所述的光纖氫氣傳感器，其特征在于，所述氫氣收容腔的內徑大于所述入射光纖的纖芯的直徑。

4.如權利要求3所述的光纖氫氣傳感器，其特征在于，所述氫敏感膜為鈀膜或者鈀合金膜。

5.如權利要求1所述的光纖氫氣傳感器，其特征在于，所述氫氣收容腔的腔底設置有半穿透半反射膜。

6.如權利要求1所述的光纖氫氣傳感器，其特征在于，所述氫敏感膜的凹陷部為圓形凹陷部。

7.如權利要求1所述的光纖氫氣傳感器，其特征在于，所述入射光纖和所述反射光纖均為單模光纖。

8.如權利要求1所述的光纖氫氣傳感器，其特征在于，所述入射光纖為單模光纖，而所述反射光纖為多模光纖。

9.如權利要求1所述的光纖氫氣傳感器，其特征在于，所述入射光纖和所述反射光纖均為多模光纖。

10.一種光纖氫氣傳感器的制作方法，用于制作如權利要求1至9中任一項所述的光纖氫氣傳感器，其特征在于，包括：

提供入射光纖，并在所述入射光纖的末端形成微型腔體，來作為氫氣收容腔；

在所述微型腔體的側壁內表面形成氫敏感膜；

在所述微型腔體的其中一個側壁形成第一氣孔陣列，并在另一個側壁形成第二氣孔陣列，其中所述第二氣孔陣列的氣孔分別與所述第一氣孔陣列的氣孔交錯設置，且所述氣孔分別從所述入射光纖的外表面延伸到所述微型腔體內部；

在所述微型腔體的內側壁表面的氫敏感膜與所述第一氣孔陣列和所述第二氣孔陣列的氣孔相正對的區域形成多個凹陷部；

提供反射光纖，并將所述反射光纖與所述入射光纖的末端相互熔接。