[發明專利]芯片及其制造方法在審
| 申請號： | 201410260829.5 | 申請日： | 2014-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN104022103A | 公開（公告）日： | 2014-09-03 |
| 發明（設計）人： | 任萍萍;張瓊;曹薦;周潔 | 申請（專利權）人： | 上海先進半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L23/62 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一種芯片，包括基底、形成于所述基底上的多個金屬層以及過流保護系統，所述過流保護系統包括過流保護電路和連接于所述過流保護電路的檢測線，其特征在于：所述檢測線設置于所述多個金屬層中最薄的金屬層。
2.如權利要求1所述的過流保護系統，其特征在于：所述檢測線為熔斷體。
3.如權利要求1所述的過流保護系統，其特征在于：所述多個金屬層包括一底部金屬層，所述最薄的金屬層為所述底部金屬層。
4.一種如權利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成多個金屬層以及過流保護系統，所述過流保護系統包括過流保護電路和連接于所述過流保護電路的檢測線，所述檢測線設置于所述多個金屬層中最薄的金屬層；
刻蝕所述多個金屬層形成通孔，所述通孔露出所述檢測線的表面。
5.如權利要求4所述的芯片的制造方法，其特征在于：所述多個金屬層包括一底部金屬層，所述最薄的金屬層為所述底部金屬層。
6.如權利要求5所述的芯片的制造方法，其特征在于：在所述基底上形成所述多個金屬層和過流保護系統的步驟包括：
在所述基底上形成所述底部金屬層，所述過流保護系統位于所述底部金屬層中；
在所述基底和所述底部金屬層上形成金屬間介質層；
在所述金屬間介質層上形成上層金屬層。
7.如權利要求6所述的芯片的制造方法，其特征在于：在所述金屬間介質層上形成上層金屬層的步驟之后，還包括在所述上層金屬層和所述金屬間介質層上形成鈍化層的步驟。
8.如權利要求4-7任意一項所述的芯片的制造方法，其特征在于：所述多個金屬層的材料均為鋁。
9.如權利要求4-7任意一項所述的芯片的制造方法，其特征在于：所述基底為半導體襯底。
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