[發明專利]一種發光二極管外延片及其制作方法

有效

• 申請號: 201410260644.4
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN104091873B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 陶章峰;喬楠;胡加輝;韓杰;魏世禎
• 申請（專利權）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/16
• 分類號: H01L33/16;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片，所述外延片包括襯底、依次覆蓋在所述襯底上的緩沖層、N型層、發光層和P型層，其特征在于，所述外延片還包括三維重結晶層，所述三維重結晶層生長在所述緩沖層和所述N型層之間，且所述三維重結晶層是采用分段的三維生長方式生成的GaN層，每一段所述三維重結晶層生長壓力不同，所述三維重結晶層包括：在不同溫度不同壓力下生長而成的第一重結晶子層和第二重結晶子層，所述第一重結晶子層覆蓋在所述緩沖層上，所述第二重結晶子層覆蓋在所述第一重結晶子層上，所述第一重結晶子層的生長溫度在1010℃與1030℃之間，所述第二重結晶子層的生長溫度在1030℃與1040℃之間。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述P型層包括：依次覆蓋在所述發光層上的低溫P型摻雜GaN層、P型Al_xGa_1-xN電子阻擋層和高溫P型摻雜GaN層，0.1<x<0.5。

3.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述發光層為多量子阱結構，所述多量子阱結構包括5到11個周期交替生長的In_yGa_1-yN和GaN，0<y<1。

4.根據權利要求1～3任一項所述的外延片，其特征在于，所述外延片還包括生長于所述三維重結晶層和所述N型層之間的填平層。

5.根據權利要求4所述的外延片，其特征在于，所述外延片還包括生長于所述填平層和所述N型層之間的未摻雜層，所述未摻雜層為u-GaN層。

6.一種發光二極管外延片制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底并在所述襯底上生長緩沖層；

在所述緩沖層上采用分段的三維生長方式生長三維重結晶層，每一段所述三維重結晶層生長壓力不同；

在所述三維重結晶層上依次生長N型層、發光層和P型層；

所述在所述緩沖層上采用分段的三維生長方式生長三維重結晶層，包括：

所述緩沖層上三維生長第一重結晶子層；

在所述第一重結晶子層上三維生長第二重結晶子層；

所述第一重結晶子層和所述第二重結晶子層的生長溫度不同，生長壓力不同，所述第一重結晶子層的生長溫度在1010℃與1030℃之間，所述第二重結晶子層的生長溫度在1030℃與1040℃之間。