[發明專利]納米銀線導電層疊結構及電容式觸控面板

有效

• 申請號: 201410260610.5
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN105224151B
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 黃松建;李紹;何小嫻;何加友
• 申請（專利權）人: 宸鴻科技（廈門）有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044;H01B5/14
• 代理公司: 深圳市智享知識產權代理有限公司 44361
• 代理人: 王琴

本發明提供一種納米銀線導電層疊結構，其包括一基材和一納米銀線導電電極層，該納米銀線導電電極層設置于所述基材上，包括基質，暗色導電介質和納米銀線。使用納米銀線作為導電材料時，為降低霧度，常使單位面積內納米銀線數量減少，這將產生不良導電率的問題，本發明提供了一種納米銀線導電層疊結構，使得導電率不受納米銀線數量減少的影響，本發明還提供一種采用該納米銀線導電層疊結構的電容式觸控面板。

【技術領域】

本發明涉及一種導電層疊結構，特別涉及一種納米銀線導電層疊結構及采用該納米銀線導電層疊結構的電容式觸控面板。

【背景技術】

伴隨近年來觸控面板在通訊行業的迅速崛起，特別是在手機通訊行業的蓬勃發展，觸控面板一舉成為現今成像顯示設備的首選產品。使用率最高的觸控面板主要是電阻式觸控面板和電容式觸控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外觀的考慮，大多會選用電容式觸控面板作為其最佳首選設備。

在傳統智能手機的電容式觸控面板中，觸控電極的材料通常為氧化銦錫(簡稱為ITO)。ITO的透光率很高，導電性能較好。但隨著觸控面板尺寸的逐步增大，特別是應用于15寸以上的面板時，ITO的缺陷越來越突出，其中最明顯的缺陷就是ITO的面電阻過大，價格昂貴，無法保證大尺寸觸控面板良好的導電性能與足夠的靈敏度，也無法適用于電子產品不斷低價化的發展趨勢。

另外，在制造方法上，原來的ITO需要真空腔、較高的沉積溫度和/或高退火溫度以獲得高傳導性，造成ITO的整體制作成本非常昂貴。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到較小物理應力的彎曲也非常容易被破壞，因此在可穿戴設備逐漸崛起的新興產品市場的浪潮下，ITO材料作為導電電極以無法不能應付市場的需求而逐漸被淘汰。

正因如此，產業界一直在致力于開發ITO的替代材料，目前逐漸被開發并應用的替代材料包括納米銀線(Silver Nano Wires，簡稱SNW)、金屬網格(Metal Mesh)、碳納米管、有機導電膜、以及石墨烯等。

其中，SNW是諸多ITO替代材料目前最為成熟的一種。納米銀線具有銀優良的導電性，同時由于其納米級別的尺寸效應，使得其具有優異的透光性與耐曲撓性，因此可用作為優選地替代ITO作為觸控電極的材料。

在使用納米銀線替代ITO做為導電電極材料時，霧度問題常常成為其應用的障礙，可以通過降低納米銀線的直徑和減少單位面積內的銀線數量，來改善霧度，但單位面積銀線數量的降低可能導致導電薄膜中銀線的搭接不良，影響導電性。因此，如何解決在降低單位面積內的銀線數量時降低霧度，還能同時保證導電薄膜良好的透光性和導電性，成為亟待解決的問題。

【發明內容】

為克服降低霧度使單位面積內納米銀線數量減少導致的不良導電率問題，本發明提供一種納米銀線導電層疊結構及采用該納米銀線導電層疊結構的電容式觸控面板。

本發明解決上述技術問題的方案是提供一種納米銀線導電層疊結構及采用該納米銀線導電層疊結構的觸控面板，該納米銀線導電層疊結構包括一基材和一納米銀線導電電極層，設置于所述基材上，所述納米銀線導電電極層包括基質，嵌入所述基質中的暗色導電介質和多條納米銀線，所述納米銀線相互搭接形成一導電網絡，所述暗色導電介質附著于所述導電網絡并提高所述導電網絡的導電率，所述暗色導電介質部分覆蓋于納米銀線上，對納米銀線形成遮蔽，所述暗色導電介質形狀為片狀無規則形狀，所述部分暗色導電介質厚度為0.1nm-10nm，所述暗色導電介質的漫射系數小于15，所述暗色導電介質的材質為納米銀，納米金，納米銅，碳納米管，石墨烯之任意一種或其組合，所述納米銀線和暗色導電介質的重量比為1:0.01～1:0.5。

優選地，所述納米銀線的線至少部分嵌入基質中，所述納米銀線的線長為20μm-50μm，線徑小于50nm，長寬比大于400，所述納米銀線的線長均勻性為99％，所述納米銀線導電電極層的厚度為10nm-200nm，透光率大于90％，霧度小于1.5％，方阻小于100ohm/sq。