[發明專利]高開口率的頂發射AMOLED器件與制成方法

在審

• 申請號: 201410260312.6
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN104022142A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 李莉莉;魏鋒;楊海浪;任海
• 申請（專利權）人: 四川虹視顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52;H01L51/50
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 周永宏

1.一種高開口率的頂發射AMOLED器件，其特征在于：包括玻璃基板(1)、緩沖層(2)、有源層(3)、第一絕緣層(4)、下電極(5)、柵極(6)、第二絕緣層(7)、上電極(8)、源極(9)、漏極(10)、鈍化層(11)、象素電極(12)、有機發光層(13)、陰極(14)、漏極接觸孔(15)和存儲電容(16)；玻璃基板(1)設置在最下方，緩沖層(2)設置在玻璃基板(1)的上方，緩沖層(2)上方依次構成有有源層(3)和柵極(6)，柵極(6)覆蓋有源層(3)，有源層(3)和柵極(6)之間還有第一絕緣層(4)，第一絕緣層(4)上方還設置有下電極(5)，第二絕緣層(7)覆蓋在柵極(6)上，第二絕緣層(7)暴露出兩側有源層(3)的部分，形成接觸孔，源極(9)和漏極(10)通過接觸孔連接到有源層(3)上，第二絕緣層(7)上還設置有上電極(8)，然后鈍化層(11)覆蓋在源極(9)和漏極(10)上，鈍化層(11)暴露出漏極接觸孔(15)，象素電極(12)覆蓋在鈍化層(11)上，有機發光層(13)覆蓋在象素電極(12)上，陰極(14)覆蓋在有機發光層(13)上，下電極(5)和上電極(8)構成存儲電容(16)。

2.如權利要求1所述的高開口率的頂發射AMOLED器件，其特征在于：所述象素電極(12)包括Ag金屬層和導電ITO膜組成，導電ITO膜在Ag金屬層上。

3.如權利要求1所述的高開口率的頂發射AMOLED器件，其特征在于：所述陰極(14)包括依Al金屬層、Ag金屬層和AlQ₃薄膜構成，Al金屬層、Ag金屬層和AlQ₃薄膜構成依次排列。

4.一種高開口率的頂發射AMOLED器件制成方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步、在玻璃基板(1)上形成緩沖層(2)；

第二步、然后在緩沖層(2)上依次構成有源層(3)、柵極(5)和第一絕緣層(4)，形成柵極(6)的同時形成存儲電容(16)的下電極(5)；

第三步、用第二絕緣層(7)覆蓋在包括柵極(6)整個基板襯底上，暴露出兩側有源層(3)部分，形成接觸孔；

第四步、然后生成源極(9)和漏極(10)，然后通過接觸孔連接到有源層(3)上，形成源極(9)和漏極(10)的同時形成存儲電容(16)的上電極(8)；

第五步、在整個基板上形成一個覆蓋源極(9)和漏極(10)的鈍化層(11)，鈍化層(11)具有暴露一部分漏極(10)的漏極接觸孔(15)；

第六步、覆蓋鈍化層(11)形成象素電極(12)，象素電極(12)設置成陽極；

第七步、將有機發光層(13)沉積在象素電極(12)上；

第八步、陰極(14)沉積在有機發光層(13)上。

5.如權利要求4所述的高開口率的頂發射AMOLED器件制成方法，其特征在于：所述第六步中的象素電極(12)覆蓋整個鈍化層(11)襯底，鈍化層(11)上先沉積Ag金屬層然后在其上沉積導電ITO膜，形成象素電極(12)。

6.如權利要求4所述的高開口率的頂發射AMOLED器件制成方法，其特征在于：所述第八步中的有機發光層(13)上依次沉積Al金屬層、Ag金屬層和AlQ₃薄膜構成陰極(14)。