[發明專利]一種柔性半導體薄膜電子器件的封裝工藝

有效

• 申請號: 201410260088.0
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN103996629A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 徐苗;李洪濛;鄒建華;陶洪;王磊;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 趙蕊紅

技術領域

本發明涉及半導體制備技術領域，特別是涉及一種柔性半導體薄膜電子器件的封裝工藝。?

背景技術

為了達到良好的水氧絕緣效果，柔性半導體薄膜電子器件制備完成后還需要進行封裝。現有技術中，對柔性半導體薄膜電子器件的封裝技術，通常是采用多種材料層層堆疊，利用不同材料的優點，達到水氧隔絕效果。

目前使用較多的材料體系主要為由無機薄膜和有機薄膜疊層而成的無機/有機雜化多層薄膜。無機/有機雜化多層薄膜結構中，無機薄膜具有良好的水氧隔絕效果，在多層薄膜中起到主要的隔絕作用。但是由于無機薄膜沉積方法的限制，在這些薄膜中常常會出現針孔狀或由顆粒物所引入的缺陷。這些缺陷會成為水氧分子的擴散通道。因此，人們引入有機薄膜用于填補或修復無機薄膜中的缺陷，進而獲得具有良好阻隔效果的封裝薄膜。但是，由于有機薄膜水氧阻隔性性能較差，實際中往往需要多個無機/有機薄膜的重復結構才能滿足水氧阻隔要求。不僅導致這種薄膜封裝層結構復雜，制作成本上升。更為嚴重的是，由于封裝層薄膜厚度的增加會導致成品柔性器件抗彎折性能劣化，影響器件性能。

因此，針對現有技術不足，提供一種水氧絕緣性能優良、制備工藝簡單且不影響成品柔性器件性能的柔性半導體薄膜電子器件的封裝工藝以克服現有技術不足甚為必要。

發明內容

本發明的目的在于避免現有技術的不足之處而提供一種柔性半導體薄膜電子器件的封裝工藝，具有制備工藝簡單、封裝層的水氧絕緣性能優良且不影響成品柔性器件性能特點。?

本發明的上述目的通過如下技術手段實現。???

一種柔性半導體薄膜電子器件的封裝工藝，包括制備水氧阻隔層工序，所述水氧阻隔層由一組或一組以上的水氧阻隔單元疊設而成；

每組水氧阻隔單元包括一層有機阻隔層和一層無機阻隔層，所述有機阻隔層表面具有凹凸不平的形貌結構，所述無機阻隔層設置于所述有機阻隔層表面。

優選的，上述水氧阻隔層由兩組的水氧阻隔單元疊設而成。

上述有機薄膜表面凹凸不平的形貌結構為規則的圖案或者不規則的圖案。

上述有機阻隔層通過光刻的方式或者通過物理壓印的方式形成表面凹凸不平的形貌結構。

上述有機阻隔層表面凹凸不平的形貌結構為矩形結構或者為鋸齒形結構或者為弧形結構。

優選的，上述有機阻隔層的材料為光刻膠，所述有機阻隔層通過旋涂法或者絲網印刷法或者真空熱蒸發法或者化學氣相沉積法制備而成，所述有機阻隔層的厚度為200?nm~10000?nm。

另一優選的，上述柔性半導體薄膜電子器件的封裝工藝中，是將光刻膠中摻雜無機物顆粒作為原料制備有機阻隔層，有機阻隔層表面具有因部分無機物顆粒而鼓氣的凸起。

上述光刻膠中摻雜的無機物顆粒的粒徑為1~10um，無機物顆粒的摻入量為0.01~10um，無機物顆粒的摻入量為0.01g/mL~5g/mL。

進一步的，上述光刻膠中摻雜的無機物顆粒的粒徑為2~5um，無機物顆粒的摻入量為0.2g/mL。

上述無機阻隔層的材料為Al₂O₃或者Si₃N₄或者SiO₂或者TiO₂或者ZrO₂中的任意一種或一種以上的混合物，所述無機阻隔層通過薄膜沉積法或者原子層沉積法或者化學氣相沉積法或者物理氣相沉積法制備而成，所述無機阻隔層的厚度為10nm~1000?nm。

以上的，還設置有基礎層制備工序，即在待封裝的柔性半導體薄膜電子器件表面制備基礎層，所述水氧阻隔層制備于所述基礎層上。

本發明的柔性半導體薄膜電子器件的封裝工藝，包括制備水氧阻隔層工序，所述水氧阻隔層為一組或者一組以上的水氧阻隔單元疊置而成；每組水氧阻隔單元包括一層有機阻隔層和一層無機阻隔層，所述有機阻隔層表面具有凹凸不平的形貌結構，所述無機阻隔層設置于所述有機阻隔層上表面。本發明通過在有機阻隔層表面制備凹凸不平的形貌結構，并在有機阻隔層表面上制備無機阻隔層。通過對水氧阻隔層表面形貌的控制，能夠增加水汽以及氧氣分子在有機薄膜內部擴散時的散射作用，同時減小水、氧分子的擴散通道，進而降低水氧分子的透過率。該方法制作工藝簡單、水氧阻隔性能優良，既可以保持器件具有較薄的厚度，又可以獲得良好的水氧隔絕性能。

附圖說明

利用附圖對本發明作進一步的說明，但附圖中的內容不構成對本發明的任何限制。

圖1是本發明一種柔性半導體薄膜電子器件的封裝工藝實施例4的示意圖；