[發明專利]一種有機發光二極管顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201410259143.4 | 申請日: | 2014-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN104078489B | 公開(公告)日: | 2017-02-15 |
| 發明(設計)人: | 宋瑩瑩;崔穎 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 發光二極管 顯示 面板 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種有機發光二極管顯示面板、顯示裝置。
背景技術
在有機發光二極管顯示裝置中,環境光會在發光層和金屬電極表面上產生強烈反射,在外界背景光較強的條件下,這部分反射光進入觀察者的眼睛會使顯示器件的對比度明顯地降低,影響顯示器的顯示效果。
圖1為現有技術中頂發射型有機發光二極管顯示裝置的顯示面板的結構示意圖,包括相對設置的第一基板1和第二基板11;所述第一基板1包括多個像素區域12和位于所述像素區域12之間的像素界定區域13;
像素區域12包括依次設置在第一基板1上的陽極2、有機發光功能層14、陰極8,有機發光功能層14發出的光從第二基板11射出(圖1中箭頭所示);
像素界定區域13包括設置在第一基板1上像素界定層6。
陰極8覆蓋有機發光功能層14和像素界定層6,在陰極8上設有緩沖層9,該緩沖層9與第二基板11接觸。
通常,有機發光功能層14包括與陽極2連接的第一功能層3(通常包括空穴注入層和電子傳輸層),用于發光的發光層4,與陰極連接的第二功能層5(通常包括電子傳輸層和電子注入層)。
外界環境光入射進入第二基板11后會在有機發光功能層14和陰極8的表面產生強烈反射,在外界環境光較強的條件下,這部分反射光進入觀察者的眼睛會使顯示器件的對比度明顯地降低,影響顯示器的顯示效果。
現有技術中采用在顯示器件表面上貼上1/4波長偏光片降低有機發光二極管器件表面的反射,用這種方法可以提高對比度,但是1/4波長偏光片吸收或損耗約60%的發光,且偏光片的成本較高。
其次,現有技術中還有在有機發光顯示裝置中增加消光干涉層的技術,這樣也能提高對比度,但是要考慮消光干涉層與其他層的最高占有軌道(Highest?Occupied?Molecular?Orbital)和最低未占有軌道(Lowest?Unoccupied?Molecular?Orbital)能級的匹配關系。
再次,現有技術中還有在顯示器件中增加一層光吸收層的技術,可以使環境光入射顯示器件內部后反射減少,但同時也部分地吸收了有機發光二極管裝置發出的光,因此對顯示裝置對比度的改善并不明顯。
發明內容
本發明的目的是解決現有技術的有機發光二極管顯示面板顯示面板和顯示裝置中由于環境光的反射導致顯示對比度降低的問題,提供一種能提高對比度的顯示面板和顯示裝置。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種有機發光二極管顯示面板,包括相對設置的第一基板和第二基板;所述第一基板包括多個像素區域和位于所述像素區域之間的像素界定區域;
所述像素區域包括設置在所述第一基板上的陽極、有機發光功能層和陰極;
所述像素界定區域設置有像素界定層;
還包括:
與所述像素界定層朝向第二基板的端面位置相匹配的光吸收層,所述光吸收層用于吸收照射光線;
與所述光吸收層相匹配設置的光線聚集單元,用于將外界入射在光線聚集單元的光線聚集后照射在所述光吸收層上,以通過所述光吸收層吸收。
優選的是,所述光吸收層設置于所述像素界定層朝向所述第二基板的表面。
優選的是,所述的光線聚集單元為平面凸透鏡;所述平面凸透鏡包括接受外界入射光的平面部和聚集光線的凸起部;所述的平面凸透鏡的凸起部朝向所述的光吸收層;所述的平面部與所述光吸收層所在的平面平行。
優選的是,所述的平面凸透鏡為多個且均勻分布于對應所述光吸收層所在的區域。
優選的是,所述的陰極覆蓋所述有機發光功能層和所述光吸收層。
優選的是,在所述陰極上還設有緩沖層,所述平面凸透鏡的平面部與所述第二基板接觸,所述平面凸透鏡的凸起部位于所述的緩沖層中。
優選的是,所述的陰極覆蓋所述有機發光功能層和所述像素界定層朝向所述第二基板的端面。
優選的是,所述光吸收層設置于所述陰極上。
優選的是,在所述陰極上和光吸收層上還設有緩沖層,所述平面凸透鏡的平面部與所述第二基板接觸,所述平面凸透鏡的凸起部位于所述的緩沖層中。
優選的是,所述的光線聚集單元的材料的折射率大于所述的緩沖層的材料的折射率。
優選的是,所述的光線聚集單元的材料的折射率為1.6-2.0,所述的緩沖層的材料的折射率為1.4-1.6。
優選的是,所述的平面凸透鏡的平面部的直徑范圍為1-5μm,突起部的高度范圍為5-7μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





