[發(fā)明專利]浸沒式曝光后清洗水印的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410259089.3
• 申請(qǐng)日: 2014-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN105336565A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邢濱;岳力挽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 徐潔晶

1.一種浸沒式曝光后清洗水印的方法，包括步驟：

A.將一晶圓(302)移入一浸沒式曝光后清洗工藝腔室，所述腔室具有一噴嘴裝置(301)，所述噴嘴裝置(301)包括彼此連接的一去離子水噴嘴(303)和一干燥氣噴嘴(304)；

B.將所述噴嘴裝置(301)移至所述晶圓(302)的上方并將所述去離子水噴嘴(303)與所述晶圓(302)的中心對(duì)準(zhǔn)；

C.所述去離子水噴嘴(303)噴出去離子水，在此期間所述晶圓(302)旋轉(zhuǎn)，所述去離子水噴嘴(303)一邊噴水一邊以一預(yù)定的移動(dòng)速度從所述晶圓(302)的中心移向邊緣；

D.當(dāng)所述去離子水噴嘴(303)從所述晶圓(302)的中心移開而所述干燥氣噴嘴(304)移至所述晶圓(302)的中心時(shí)，所述干燥氣噴嘴(304)噴出干燥氣，使所述晶圓(302)表面的中間部分干燥；

E.所述去離子水噴嘴(303)持續(xù)地向所述晶圓(302)的邊緣移動(dòng)，所述干燥氣噴嘴(304)在一預(yù)定的位置停止噴氣，所述噴嘴裝置(301)移開所述晶圓(302)的上方；

F.所述噴嘴裝置(301)完全移回原位后，所述晶圓(302)以一更高的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，使所述晶圓(302)表面干燥。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗水印的方法，其特征在于，所述晶圓(302)的轉(zhuǎn)速為200～2000rpm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗水印的方法，其特征在于，所述噴嘴裝置(301)的移動(dòng)速度為1～10cm/s。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的清洗水印的方法，其特征在于，所述干燥氣為氮?dú)狻?/p>

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗水印的方法，其特征在于，所述氮?dú)獾膰姎獍霃綖?0～60cm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的清洗水印的方法，其特征在于，所述氮?dú)獾牧髁繛?0～50ml/s。