[發明專利]一種增強型高效率聚光太陽能電池芯片無效
| 申請號: | 201410258928.X | 申請日: | 2014-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN103996722A | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發明(設計)人: | 王永向 | 申請(專利權)人: | 成都聚合科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/054 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610207 四川省成都市雙流縣西南*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 增強 高效率 聚光 太陽能電池 芯片 | ||
1.一種增強型高效率聚光太陽能電池芯片,其特征是,它包括負電極段層,聚光太陽能電池基材層,正電極層和有效面積,所述聚光太陽能電池基材層一面覆上正電極層,另一面覆上負電極段層,負電段極為一“口”字形形狀,負電極段之內的部分為有效面積。
2.根據權利要求1所述的一種增強型聚光太陽能電池芯片,其特征是,所述聚光太陽能電池基材層為GaInP/GaAs/Ge三層結合體。
3.根據權利要求1所述的一種增強型聚光太陽能電池芯片,其特征是,所述正電極層面積形狀和聚光太陽能電池基材層面積形狀完全一樣。
4.根據權利要求1所述的一種增強型聚光太陽能電池芯片,其特征是,所述負電極段層為“口”字形形狀的電極層,其中相對兩面為負電極段,另外相對兩面為“一”字形負電極,并放置在聚光太陽能電池基材層的四個端面。
5.根據權利要求1和4所述的一種增強型聚光太陽能電池芯片,其特征是,所述其中兩個相對負電極層的寬度為0.5~2mm,厚度為0.2~1mm,另外兩個相對負電極的寬度為0.1~1mm,厚度為0.2~1mm。
6.根據權利要求1所述的一種增強型聚光太陽能電池芯片,其特征是,所述有效面積為一長方形形狀,長和寬之差在0.01~1mm之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





