[發明專利]半導體芯片背面硅腐蝕的工藝方法

在審

• 申請號: 201410258844.6
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN104051254A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 江浩;肖鵬飛;王潤波;李建立;沈曉東;高善明
• 申請（專利權）人: 江陰新順微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210
• 代理人: 唐紉蘭;曾丹

1.一種半導體芯片背面硅腐蝕的工藝方法，其特征在于所述工藝方法包括以下步驟：

步驟一、半導體芯片提取

將半導體芯片移至腐蝕片架內，待腐蝕；

步驟二、半導體芯片的背面腐蝕

將裝有半導體芯片的腐蝕片架放入到腐蝕機的硅腐蝕槽中，腐蝕時間為10-60秒，腐蝕時芯片在轉動，硅腐蝕液為硝酸：冰乙酸：40%濃度氫氟酸?=?3：2：1，腐蝕的溫度控制在9-10℃；

步驟三、半導體芯片去離子水清洗

待腐蝕結束后，將裝有半導體芯片的腐蝕片架移至腐蝕機的沖水槽中，對半導體芯片進行沖水，沖水4次；

步驟四、半導體芯片浸泡到雙氧水和氟化銨溶液的混合水溶液

經去離子水沖洗結束后，將裝有半導體芯片的腐蝕片架移至泡酸槽中浸泡，泡酸槽內裝有經過充分攪拌和混合的雙氧水和氟化銨溶液的水溶液，具體配比是：雙氧水：40%濃度氟化銨溶液：純水=1：1：8，浸泡時間為5分鐘；

步驟五、半導體芯片去離子水清洗甩干

待浸泡氟化銨腐蝕液結束后，將裝有半導體芯片的腐蝕片架移至腐蝕柜中的沖水槽，沖水6-7次，沖水結束后，將片架放到甩干機中甩干，甩干機在甩干過程中通90℃的純氮，直至去除半導體芯片表面的水份。

2.根據權利要求1所述的一種半導體芯片背面硅腐蝕的工藝方法，其特征在于在步驟四和步驟五之間增加一步半導體芯片浸泡氟化銨腐蝕液工藝。