[發(fā)明專(zhuān)利]基于有源柵極電流控制方式的IGBT電流源驅(qū)動(dòng)電路及其控制方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410258322.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103986315A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳宗祥;張慶豐;趙瑞雪;劉雁飛;葛蘆生 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 安徽工業(yè)大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H02M1/08 | 分類(lèi)號(hào): | H02M1/08 |
| 代理公司: | 南京知識(shí)律師事務(wù)所 32207 | 代理人: | 蔣海軍 |
| 地址: | 243002 安*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 有源 柵極 電流 控制 方式 igbt 驅(qū)動(dòng) 電路 及其 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電力電子驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,更具體地說(shuō),涉及一種基于有源柵極電流控制方式的IGBT電流源驅(qū)動(dòng)電路及其控制方法。
背景技術(shù)
IGBT是一種常用的中、大功率開(kāi)關(guān)器件,隨著新技術(shù)的應(yīng)用,IGBT也在朝著高電壓、大電流、高頻率的方向發(fā)展,IGBT驅(qū)動(dòng)器是功率變換器控制單元和強(qiáng)電回路之間的紐帶,它控制著IGBT的導(dǎo)通、關(guān)斷狀態(tài)并對(duì)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的優(yōu)化。
目前使用的典型驅(qū)動(dòng)電路難以同時(shí)滿(mǎn)足抑制du/dt、di/dt和減小開(kāi)關(guān)損耗的要求,為了得到合理的驅(qū)動(dòng)電路,V.John教授提出了一種有源柵極驅(qū)動(dòng)方式(AGD:Active?Gate?Drive),將導(dǎo)通、關(guān)斷信號(hào)分別分為3個(gè)階段來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT的控制,取得了良好的效果。為了保證IGBT能夠可靠的工作在安全工作區(qū)(SOA)內(nèi),S.Park教授提出了增加?xùn)?集電極(Gate-Colletor)之間的可控的米勒電容CM,借助于控制流過(guò)CM上的電流來(lái)達(dá)到控制du/dt、di/dt的目的,但是這樣會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗的增加。N.Idir教授提出通過(guò)將驅(qū)動(dòng)電壓Vgs設(shè)置為兩個(gè)電壓等級(jí)方式,該方法是在抑制du/dt、di/dt和增加開(kāi)關(guān)損耗之間進(jìn)行的折中處理。
近幾年來(lái),一些閉環(huán)控制策略也被專(zhuān)家、學(xué)者們引入到IGBT驅(qū)動(dòng)電路中來(lái)。P.J.Grbovic教授提出了將Vgs信號(hào)以前饋方式引入到VGG+和VGG-中,有效地減少了開(kāi)通時(shí)Vce的拖尾電壓和損耗。彭方正教授則是提出將發(fā)射極(Emitter)電流以反饋形式引入到IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路。以P.R.Palmer教授為代表,針對(duì)在大功率場(chǎng)合使用的IGBT,提出一種有源電壓控制(Active?Voltage?Control)方式并對(duì)該方式進(jìn)行了優(yōu)化和穩(wěn)定性分析,取得了很好的驅(qū)動(dòng)效果。
以上IGBT驅(qū)動(dòng)器雖然取得較好的驅(qū)動(dòng)效果,但是它們都是基于電壓源驅(qū)動(dòng),即在柵極-發(fā)射極之間加上脈沖電壓信號(hào)。由于IGBT功率器件在柵極回路(包括柵極和發(fā)射極)存在寄生電感,以及IGBT器件固有的柵極電容Cgc(一般在10pF~100nF甚至更大)和密勒電容Cge,嚴(yán)重限制了驅(qū)動(dòng)效果。
發(fā)明內(nèi)容
1.本發(fā)明要解決的問(wèn)題
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中由于難以同時(shí)滿(mǎn)足抑制du/dt、di/dt和減小開(kāi)關(guān)損耗要求的問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種基于有源柵極電流控制方式的IGBT電流源驅(qū)動(dòng)電路及其控制方法,本發(fā)明的電路和方法在抑制du/dt、di/dt的同時(shí)可以減小開(kāi)關(guān)損耗。
2.技術(shù)方案
本發(fā)明的目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。
基于有源柵極電流控制方式的IGBT電流源驅(qū)動(dòng)電路,所述的驅(qū)動(dòng)電路包括由正電源VGG+、負(fù)電源VGG-、IGBT開(kāi)關(guān)管S1、IGBT開(kāi)關(guān)管S2、IGBT開(kāi)關(guān)管S3、IGBT開(kāi)關(guān)管S4、IGBT開(kāi)關(guān)管S5、IGBT開(kāi)關(guān)管S6和濾波電感LR;
所述正電源VGG+與IGBT開(kāi)關(guān)管S1集電極相連接,IGBT開(kāi)關(guān)管S1發(fā)射集與IGBT開(kāi)關(guān)管S2集電極相連接,IGBT開(kāi)關(guān)管S2發(fā)射極與負(fù)電源相VGG-連接,IGBT開(kāi)關(guān)管S3集電極與正電源VGG+相連接,IGBT開(kāi)關(guān)管S3發(fā)射集與IGBT開(kāi)關(guān)管S4集電極相連接,IGBT開(kāi)關(guān)管S4發(fā)射極與負(fù)電源相VGG-連接,濾波電感LR一端與IGBT開(kāi)關(guān)管S1發(fā)射集連接,另一端與IGBT開(kāi)關(guān)管S3發(fā)射集連接,IGBT開(kāi)關(guān)管S5集電集與IGBT開(kāi)關(guān)管S3發(fā)射集相連接,IGBT開(kāi)關(guān)管S5發(fā)射集與IGBT開(kāi)關(guān)管S6發(fā)射極相連接。
所述的基于有源柵極電流控制方式的IGBT電流源驅(qū)動(dòng)電路的控制方法,其步驟為:
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H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專(zhuān)用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專(zhuān)用電路,例如閘流管、晶閘管的專(zhuān)用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專(zhuān)用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類(lèi)的電流向負(fù)載供電的變換裝置的設(shè)備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





