[發(fā)明專利]檢測晶片的系統(tǒng)和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410258203.0 | 申請日: | 2010-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN104091766B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 阿杰亞拉里·阿曼努拉;葛漢成 | 申請(專利權(quán))人: | 聯(lián)達科技設(shè)備私人有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67;G01N21/89 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 新加坡加冷盆地工*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測 晶片 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種方法,用于當(dāng)半導(dǎo)體晶片沿著掃描運動路徑產(chǎn)生位移時,采集半導(dǎo)體晶片的圖像,所述掃描運動路徑隨后定位位于檢測面積內(nèi)的所述半導(dǎo)體晶片的每一塊預(yù)定區(qū)域,所述方法包括:
當(dāng)所述半導(dǎo)體晶片沿著所述掃描運動路徑產(chǎn)生位移時,定位一第一區(qū)域,所述第一區(qū)域位于所述半導(dǎo)體晶片的多個預(yù)定區(qū)域內(nèi),所述半導(dǎo)體晶片位于所述檢測面積內(nèi);
當(dāng)在所述半導(dǎo)體晶片沿著所述掃描運動路徑位移的期間內(nèi),所述半導(dǎo)體晶片的第一區(qū)域留在所述檢測面積內(nèi)時,執(zhí)行半導(dǎo)體晶片掃描過程,所述半導(dǎo)體晶片掃描過程包括:
在第一對比照明下,利用第一圖像采集裝置,在所述檢測面積內(nèi)的第一圖像的采集位置采集半導(dǎo)體晶片的第一區(qū)域的第一圖像;
在采集了半導(dǎo)體晶片的第一區(qū)域的第一圖像后,立即在第二對比照明下,利用第二圖像采集裝置,在所述檢測面積內(nèi)的第二圖像的采集位置采集半導(dǎo)體晶片的第一區(qū)域的第二圖像,所述帶有圖像的第一圖像偏離所述第二圖像,是因為采集所述的第一圖像的位置與采集所述的第二圖像的位置之間有一段預(yù)設(shè)的距離,所述半導(dǎo)體晶片被放置在這個位置上;
通過確定所述第一圖像和所述第二圖像之間的圖像偏移,關(guān)聯(lián)所述第一圖像和所述第二圖像。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述半導(dǎo)體晶片的多個預(yù)定區(qū)域的每一塊預(yù)定區(qū)域,包括至少一個半導(dǎo)體晶片芯片或半導(dǎo)體晶片的一部分。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,更進一步包括將所述的第一圖像上的缺陷位置與所述的第二圖像上的缺陷位置進行對比,以在關(guān)聯(lián)所述第一和第二圖像后,提供缺陷檢測結(jié)果。
4.如權(quán)利要求1-3所述的方法,其特征在于,所述第一對比照明是明場照明以及所述第一圖像是明場圖像。
5.如權(quán)利要求1-4所述的方法,其特征在于,所述第二對比照明是暗場照明以及所述第二圖像是暗場圖像。
6.如權(quán)利要求1-5所述的方法,其特征在于,所述第一對比照明和所述第二對比照明都是寬頻照明。
7.如權(quán)利要求1-3或權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一對比照明和所述第二對比照明都可以從明場照明、暗場照明以及明場照明和暗場照明的結(jié)合中選擇出來。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一對比照明和所述第二對比照明都可以從明場照明、暗場高角照明、暗場低角照明以及三者任意的結(jié)合中選擇出來。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述明場照明、所述暗場高角照明以及所述暗場低角照明都是具有相等波長光譜的寬頻照明。
10.如權(quán)利要求7-9所述的方法,其特征在于,由閃光燈發(fā)射所述明場照明。
11.如權(quán)利要求7-10所述的方法,其特征在于,所述明場照明是白光照明。
12.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,如果所述的第一圖像上的缺陷位置與所述的第二圖像上的缺陷位置一致的話,那么這就是準(zhǔn)確的檢測結(jié)果。
13.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,如果所述的第一與第二圖像上沒有一致的缺陷位置,那么所述缺陷的檢測結(jié)果是錯誤的檢測結(jié)果。
14.如權(quán)利要求1-13所述的方法,其特征在于,確定所述第一圖像和所述第二圖像之間的圖像偏移包括:
分別檢索代表第一和第二半導(dǎo)體晶片位置的XY編碼值,所述第一和第二半導(dǎo)體晶片位置對應(yīng)于所述第一圖像的采集以及所述第二圖像的采集;以及
基于所述檢索后的XY編碼值,計算所述第一圖像和所述第二圖像之間的粗糙補償。
15.如權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,確定所述第一圖像和所述第二圖像之間的圖像偏移更進一步包括,通過所述第一圖像和所述第二圖像的亞像素對準(zhǔn)計算所述第一圖像和所述第二圖像之間的最終補償。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于聯(lián)達科技設(shè)備私人有限公司,未經(jīng)聯(lián)達科技設(shè)備私人有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410258203.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:增強的晶片清洗方法
- 下一篇:一種多重限位的節(jié)能燈燈頭
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





