[發明專利]一種Si/NiO:Ag異質pn結二極管在審
| 申請號： | 201410257437.3 | 申請日： | 2014-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN104201209A | 公開（公告）日： | 2014-12-10 |
| 發明（設計）人： | 李彤;王達夫;鄧學松 | 申請（專利權）人： | 天津職業技術師范大學 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/267;H01L21/329 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 300222 天*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 si nio ag 異質 pn 二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種Si/NiO:Ag異質pn結二極管，至少包括pn結和歐姆接觸電極，其特征在于：所述pn結是由n型Si襯底上生長NiO:Ag薄膜而得到的異質pn結。
2.權利要求1所述Si/NiO:Ag異質pn結二極管的制備方法，其特征在于：用磁控濺射工藝在n型Si襯底上制備NiO:Ag薄膜形成異質pn結。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于：本發明采用NiO:Ag2O陶瓷靶，磁控濺射工藝制備NiO:Ag薄膜，在此采用氧分壓O2/(O2+Ar）=0％-100％。
4.濺射前的腔體本底真空度優于3x10-4Pa，濺射氣壓為0.5-2Pa，濺射功率為100-200W。
5.在鍍膜之前，預濺射5min以去除靶材表面的雜質。
6.鍍膜時間均為20-120min，襯底溫度從RT變化至600oC。
7.權利要求1，2或3所述Si/NiO:Ag異質pn結二極管的制備方法，其特征在于：將該異質結從200oC至700oC退火0.5至1個小時。
8.權利要求1或2或3所述n-Si/p-NiO:Ag異質pn結二極管的制備方法，其特征在于：采用濺射法或熱蒸發法在pn結上制作電極；其中，NiO:Ag和Si表面沉積鎳，銀，鋁或金電極。
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