[發(fā)明專利]一種指導(dǎo)ALD制備氧化物半導(dǎo)體薄膜的光譜探測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410257157.2
• 申請(qǐng)日: 2014-06-11
• 公開（公告）號(hào): CN104005007A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方鉉;牛守柱;魏志鵬;唐吉龍;房丹;王曉華;王菲;王東君;陳宇林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)春理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種指導(dǎo)ALD制備氧化物半導(dǎo)體材料的光譜探測(cè)技術(shù)，其包括以下其特征是采用如下具體步驟：

（1）????選用石英或藍(lán)寶石為襯底。?三甲基鋁(TMA)和水作為反應(yīng)用金屬源和氧源,?高純氮?dú)庾鳛檩d氣和動(dòng)力氣。?反應(yīng)源通入真空腔體順序如下:?TMA通入腔體,?脈沖時(shí)間為15毫秒,?等待時(shí)間為5秒;?水通入腔體,?脈沖時(shí)間為15毫秒,?等待時(shí)間為5秒。?襯底溫度為150℃~200℃。重復(fù)循環(huán)上述過程若干次，直至所需薄膜厚度為止。

（2）????將反應(yīng)腔中的光通過光纖引出，使用近紅外光譜儀測(cè)量吸收譜，檢測(cè)CH₃/CH₄含量，判斷反應(yīng)進(jìn)程，從而指導(dǎo)制備的Al₂O₃薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的，本發(fā)明使用的近紅外光譜技術(shù)可檢測(cè)C-H，N-H，O-H，S-H，C=O等基團(tuán)的有機(jī)物，幾乎可以用于分析所有與含氫基團(tuán)有關(guān)的樣品物理和化學(xué)性質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的，本發(fā)明使用的近紅外光譜技術(shù)可檢測(cè)CH₃/CH₄含量，進(jìn)而判定制備的Al₂O₃薄膜質(zhì)量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的，本發(fā)明使用的近紅外光譜技術(shù)，樣品預(yù)處理簡(jiǎn)單或無需預(yù)處理，適用于各種固體、液體和氣體樣品分析，不破壞樣品，屬于非破壞性分析方法。