[發明專利]MOS電容的制造方法

有效

• 申請號: 201410256975.0
• 申請日: 2014-06-11
• 公開（公告）號: CN104037062A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 霍彩紅;張宏寶;潘宏菽;付興昌
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 李榮文

1.一種MOS電容的制造方法，其特征在于包括以下步驟：

1）在硅晶圓片（1）的上表面形成氧化層（2）；

2）采用光刻的方法，利用光刻膠在氧化層（2）的上表形成金屬引出電極的窗口；

3）通過光刻的方法在金屬引出電極的窗口處形成倒梯形的光刻膠形貌；

4）在經過步驟3）處理后的硅晶圓片的表面蒸發一層金屬鉑（5）；

5）將蒸發金屬鉑（5）后的硅晶圓片放入剝離液中浸泡，去除光刻膠的同時也將光刻膠上的金屬鉑（5）一起去除，而無光刻膠處的金屬鉑（5）則與硅晶圓片粘附良好；

6）將上述步驟5）處理后的硅晶圓片放入到充有保護氣體的合金爐內進行合金處理，使金屬鉑與硅形成良好的歐姆接觸；

7）將鉑硅合金后的硅晶圓片進行光刻處理，在金屬電極以外的區域形成光刻膠；

8）在經過步驟7）處理后的硅晶圓片的上表面蒸發多層金屬（8）；

9）剝離去除金屬上電極和金屬引出電極以外的步驟8）中蒸發的金屬，形成MOS電容。

2.根據權利要求1所述的MOS電容的制造方法，其特征在于所述制造方法還包括步驟10）：對經過步驟9）處理后的硅晶圓片在保護氣體的保護下進行烘焙處理。

3.根據權利要求1或2所述的MOS電容的制造方法，其特征在于所述制造方法還包括步驟11）：對經過步驟9）或步驟10）處理后的硅晶圓片進行劃片處理，形成一個個分立的MOS電容芯片。

4.根據權利要求1所述的MOS電容的制造方法，其特征在于：步驟1）中氧化溫度為1100℃-1200℃，氧化層的厚度為1000????????????????????????????????????????????????-1.2μm。

5.根據權利要求1所述的MOS電容的制造方法，其特征在于：步驟4）中金屬鉑的厚度為50-300。

6.根據權利要求1所述的MOS電容的制造方法，其特征在于：步驟6）中合金溫度為500℃-600℃，保護氣體為氮氣或氬氣。

7.根據權利要求1所述的MOS電容的制造方法，其特征在于步驟8）中形成的多層金屬為：鈦-鉑-金系統各層控制的厚度為金屬鈦300-1500，金屬鉑的厚度在300-1500，金屬金的厚度在1μm-2μm。

8.根據權利要求1所述的MOS電容的制造方法，其特征在于步驟8）中形成的多層金屬為：鈦-鎢-鉑-金系統，由于鎢對金的阻擋能力較強，則金屬鈦300-1000，金屬鎢控制在100-1000，金屬鉑控制在100-1000，金屬金的厚度在1μm-2μm。

9.根據權利要求2所述的MOS電容的制造方法，其特征在于步驟10）中：烘焙溫度為250℃-350℃，烘焙時間為12小時-24小時，保護氣體為氮氣。