[發明專利]一種石墨烯圖案化的方法及顯示基板的制作方法有效
| 申請號: | 201410256945.X | 申請日: | 2014-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN104022017B | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發明(設計)人: | 舒適;呂志軍;谷敬霞;石岳;張方振;孫冰;徐傳祥 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 圖案 方法 顯示 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子技術領域,尤其涉及一種石墨烯圖案化的方法及顯示基板的制作方法。
背景技術
目前,氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)材料被廣泛應用于各個領域,被用來制備透明導電薄膜,但由于銦元素是稀有金屬,并且銦的氧化物有毒,不環保,因此目前迫切需要替代材料。在此背景下,石墨烯材料受到了人們極大關注。
石墨烯材料是由sp2雜化的碳原子形成的單層原子薄膜,可以作為ITO的替代材料。目前人們已經開發出石墨烯薄膜制備并轉移到玻璃基板的技術。在圖案化方面,石墨烯可以采用目前成熟的半導體制程工藝來實現,即在石墨烯薄膜表面涂布光刻膠,通過曝光-顯影工藝得到圖案化的光刻膠,在對石墨烯薄膜進行干刻,最后進行光刻膠剝離,得到圖案化的石墨烯。但是由于石墨烯薄膜非常薄,使用目前常規的光刻膠在剝離時有可能會發生石墨烯薄膜脫落,或者光刻膠在石墨烯膜層上殘留的情況,進而造成產品良率降低;開發特定的光刻膠材料和工藝會增加成本,提高量產難度,因此有必要開發一種低成本的圖案化工藝。
發明內容
本發明的實施例提供一種石墨烯圖案化的方法及顯示基板的制作方法,能夠在保證生產成本的情況下提高產品良率。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
一方面,提供一種石墨烯圖案化的方法,包括:
在石墨烯層上形成隔離層;
在所述隔離層上形成光刻膠層;
對所述光刻膠層進行圖案化處理;
按照圖案化的光刻膠層對所述隔離層進行刻蝕形成圖案化的隔離層;
按照所述圖案化的隔離層對所述石墨烯層進行刻蝕形成圖案化的石墨烯層;
將所述圖案化的隔離層去除。
可選的,按照圖案化的光刻膠層對所述隔離層進行刻蝕形成圖案化的隔離層后還包括:
剝離所述圖案化的光刻膠層。
可選的,在石墨烯層上形成隔離層前,所述方法還包括:在樹脂襯底上形成所述石墨烯層;
所述將所述圖案化的隔離層去除后形成帶有所述圖案化的石墨烯層的樹脂薄膜;
所述方法還包括:
通過轉印技術將所述樹脂薄膜上所述圖案化的石墨烯層轉印至基板;
將所述樹脂薄膜上的樹脂襯底去除。
可選的,所述在樹脂襯底上形成所述石墨烯層,包括:
在所述樹脂襯底上旋涂一層單層或多層水溶性石墨烯材料形成所述石墨烯層。
可選的,所述在樹脂襯底上形成所述石墨烯層,包括:
在金屬襯底上沉積石墨烯材料形成所述石墨烯層;
在所述石墨烯層上旋涂樹脂材料形成所述樹脂襯底;
將所述金屬襯底刻蝕去除。
可選的,所述金屬襯底包括銅、鎳或銅鎳合金中的任意一種。
可選的,所述隔離層為無機硅化合物材料,所述無機硅化合物材料包括氮化硅。
可選的,所述將所述圖案化的隔離層去除包括:
通過氫氟酸將所述圖案化的隔離層腐蝕去除。
可選的,所述石墨烯層形成于基板上。
可選的,所述隔離層的材料為金屬材料,形成所述隔離層的金屬材料包括銅、鎳或銅鎳合金中的任意一種。
一方面,提供一種顯示基板的制作方法,包括采用上述任一的方法制作石墨烯形成的結構。
本發明的實施例提供的石墨烯圖案化的方法,通過在石墨烯層和光刻膠之間設置隔離層,在剝離光刻膠后去除石墨烯層上的隔離層,可以避免現有技術中光刻膠材料剝離時導致石墨烯薄膜脫落或者光刻膠在石墨烯膜層上殘留的不良的情況,能夠在保證生產成本的情況下提高產品良率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明的實施例提供的一種石墨烯圖案化的方法流程示意圖;
圖2為本發明的另一實施例提供的一種石墨烯圖案化的方法流程示意圖;
圖3為本發明的另一實施例提供的一種石墨烯圖案化過程中樹脂薄膜截面結構示意圖一;
圖4為本發明的另一實施例提供的一種石墨烯圖案化過程中樹脂薄膜截面結構示意圖二;
圖5為本發明的另一實施例提供的一種石墨烯圖案化過程中樹脂薄膜截面結構示意圖三;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





