[發明專利]電阻式隨機存取存儲器及其制造方法有效
| 申請號： | 201410256914.4 | 申請日： | 2014-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN105280810B | 公開（公告）日： | 2018-03-27 |
| 發明（設計）人： | 張碩哲;溫松穎 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人： | 蘇捷,向勇 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻 隨機存取存儲器 及其 制造 方法 | ||
1.一種電阻式隨機存取存儲器，包括第一電極、第二電極以及介于該第一電極與該第二電極之間的轉變金屬氧化物層，其特征在于，所述電阻式隨機存取存儲器還包括：
活性化金屬層，介于該第一電極與該轉變金屬氧化物層之間；以及
金屬氮氧化層，介于該第一電極與該活性化金屬層之間，在含氧元素與氮元素的氣體環境下形成于該活性化金屬層的一表面。
2.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該金屬氮氧化層的厚度為1nm～20nm之間。
3.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該活性化金屬層的材料包括鈦、鉭、鎢、鉿、鎳、鋁、釩、鈷、鋯或硅。
4.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該金屬氮氧化層介于該第二電極與該轉變金屬氧化物層之間。
5.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該第一電極為上電極且該第二電極為下電極。
6.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該第一電極為下電極且該第二電極為上電極。
7.如權利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該第一電極的材料與該活性化金屬層的材料相同。
8.如權利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，還包括一第一緩沖層，位于該轉變金屬氧化物層與該金屬氮氧化層之間。
9.如權利要求8所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該第一電極的材料與該第一緩沖層的材料相同。
10.如權利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該活性化金屬層還包括一第二緩沖層，位于該表面處與該金屬氮氧化層直接接觸。
11.一種電阻式隨機存取存儲器的制造方法，包括依序形成第一電極、轉變金屬氧化物層與第二電極，其特征在于，所述制造方法還包括：
在形成該第一電極與該轉變金屬氧化物層至少其中之一的步驟后，形成活性化金屬層；以及
在含氧元素與氮元素的氣體環境下，于該活性化金屬層表面形成金屬氮氧化層，其中該金屬氮氧化層介于該第一電極與該活性化金屬層之間。
12.如權利要求11所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，該氣體是由N2O、NO2、NO、N2O2、N2/O2、N2/O3、N2、NH3、O2、H2O、H2O2、O3所組成的氣體群中所選擇的至少一種。
13.如權利要求11所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，形成該金屬氮氧化層的方法還包括在通入含氧元素與氮元素的氣體的過程中使用等離子體。
14.如權利要求11所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，在形成該金屬氮氧化層之后還包括：于該金屬氮氧化層上形成一第一緩沖層。
15.如權利要求11所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，形成該活性化金屬層的步驟還包括在該表面處形成一第二緩沖層。
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