[發(fā)明專利]化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410256565.6 | 申請日: | 2014-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN104030277A | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金闖;楊曉明 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州斯迪克新材料科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C01B31/04 | 分類號: | C01B31/04 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
| 地址: | 215400 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化學(xué) 沉積 法制 石墨 | ||
1.一種化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯,其特征在于,包括,
步驟1、將銅合金依次在鹽酸溶液、丙酮和乙醇溶液中各超聲清洗10min,在氮氣環(huán)境下烘干;
步驟2、將銅合金平行地放置在化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備內(nèi),并將CVD設(shè)備抽真空至1mTorr以內(nèi);
步驟3、將銅合金在40~55min內(nèi)升至800~980℃,之后從CVD設(shè)備底部入口通入1~900sccm流量的氫氣,保持CVD設(shè)備內(nèi)的壓強為0.1~90Torr,去除銅合金表面上的氧化膜;
步驟4、保持CVD設(shè)備內(nèi)的壓強為0.1~90Torr,銅合金基底的溫度為800~980℃,之后通入氫氣和甲烷氣體,氫氣和甲烷氣體的流量比為1∶1~1∶10,持續(xù)通氣50~70min;
步驟5、保持CVD設(shè)備內(nèi)的壓強為0.1~90Torr時,銅合金基底的溫度在200~380min內(nèi)降溫至450~500℃,并且通入氫氣和氦氣,氫氣和氦氣的流量比為1∶1~1∶10,在40~100min之后,停止通入氫氣,繼續(xù)通入氦氣的流量為100~650sccm;
步驟6、將CVD設(shè)備中銅合金基底降溫至室溫,取出銅合金和樣品,再采用機械玻璃方法將石墨烯產(chǎn)品實現(xiàn)無破壞轉(zhuǎn)移。
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯,其特征在于,所述步驟1中鹽酸溶液、丙酮和乙醇溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為2~40%、50~60%和65~75%。
3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯,其特征在于,所述步驟1中烘干銅合金的溫度為65~80℃。
4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯,其特征在于,所述步驟3中通入氫氣的流量優(yōu)選是650~800sccm。
5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯,其特征在于,所述4中通入氫氣的流量為10~900sccm,優(yōu)選流量為500~800sccm,通入甲烷氣體的流量為50~900sccm,優(yōu)選流量為600~800sccm。
6.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯,其特征在于,所述步驟5中通入氫氣的流量為10~900sccm,優(yōu)選流量為400~500sccm,通入氦氣的流量為10~900sccm,優(yōu)選流量為700~800sccm。
7.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯,其特征在于,所述石墨烯產(chǎn)品生長在所述銅合金基底的底部表面上。
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