[發明專利]能提高信號擺幅的CMOS圖像傳感器像素及其制作方法

在審

• 申請號: 201410256464.9
• 申請日: 2014-06-10
• 公開（公告）號: CN103996686A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 郭同輝;曠章曲;唐冕
• 申請（專利權）人: 北京思比科微電子技術股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260
• 代理人: 鄭立明;趙鎮勇

1.一種能提高信號擺幅的CMOS圖像傳感器像素，包括置于半導體基體中的光電二極管、電荷傳輸晶體管、復位晶體管、源跟隨晶體管、行選擇晶體管以及漂浮有源區，其特征在于，靠近所述漂浮有源區一側的電荷傳輸晶體管溝道處設有N型雜質離子區，所述N型雜質離子區與所述漂浮有源區相接，并且不與所述光電二極管相接。

2.根據權利要求1所述的能提高信號擺幅的CMOS圖像傳感器像素，其特征在于，所述N型雜質離子區的勢阱耗盡電勢小于或等于所述光電二極管的完全耗盡電勢。

3.一種權利要求1或2所述的能提高信號擺幅的CMOS圖像傳感器像素的制作方法，其特征在于，所述N型雜質離子區的制作工藝在淺槽隔離之后并且在多晶硅柵的制作工藝之前。

4.根據權利要求3所述的能提高信號擺幅的CMOS圖像傳感器像素的制作方法，其特征在于，包括步驟：

a.旋涂光刻膠；

b.曝光并顯影，在預定區域光刻膠開口；

c.N型雜質離子注入；

d.清洗光刻膠。

5.根據權利要求4所述的能提高信號擺幅的CMOS圖像傳感器像素的制作方法，其特征在于，所述N型雜質離子采用磷離子和砷離子中的任一種或兩種離子。

6.根據權利要求5所述的能提高信號擺幅的CMOS圖像傳感器像素的制作方法，其特征在于，所述N型雜質離子注入，采用磷離子的注入能量小于或等于90keV，注入劑量小于或等于5e12個離子/平方厘米。

7.根據權利要求5所述的能提高信號擺幅的CMOS圖像傳感器像素的制作方法，其特征在于，所述N型雜質離子注入，采用砷離子的注入能量小于或等于200keV，注入劑量小于或等于5e12個離子/平方厘米。

8.根據權利要求5所述的能提高信號擺幅的CMOS圖像傳感器像素的制作方法，其特征在于，所述N型雜質離子注入，采用磷離子的注入能量小于或等于90keV，采用砷離子的注入能量小于或等于200keV，兩種離子的注入總劑量小于或等于5e12個離子/平方厘米。