[發(fā)明專利]切換控制器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410256058.2 | 申請(qǐng)日： | 2014-06-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104852713B | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | H·康;S·韋內(nèi);F·多斯桑托斯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 艾殼 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/56 | 分類號(hào)： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 法國(guó)圣*** | 國(guó)省代碼： | 法國(guó);FR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體管 偏置網(wǎng)絡(luò) 切換器 堆疊 電容器 第二連接件 第一連接件 切換控制器 對(duì)稱分支 偶次諧波 平衡功率 射頻裝置 次諧波 對(duì)稱點(diǎn) 連接件 對(duì)偶 串聯(lián) 對(duì)稱 | ||
1.一種切換器，所述切換器包括：
串聯(lián)的偶數(shù)個(gè)晶體管，所述偶數(shù)個(gè)晶體管的各晶體管具有源極、漏極和柵極，每?jī)蓚€(gè)相繼的晶體管限定一個(gè)晶體管對(duì)，所述晶體管的數(shù)量為至少4個(gè)；以及
偏置網(wǎng)絡(luò)，所述偏置網(wǎng)絡(luò)包括:
控制線；
為各晶體管對(duì)設(shè)置的第一連接件,所述第一連接件包括連接兩個(gè)晶體管的柵極的第一節(jié)點(diǎn)，所述第一連接件包括兩個(gè)第一級(jí)電阻器，所述兩個(gè)第一級(jí)電阻器具有相同的電阻，并且串聯(lián)設(shè)置在晶體管對(duì)的柵極之間；
以及為兩個(gè)晶體管對(duì)設(shè)置的第二連接件，所述第二連接件包括連接所述第一節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)，所述第二節(jié)點(diǎn)耦合至所述控制線；
其中所述第二節(jié)點(diǎn)和各第一節(jié)點(diǎn)之間的各第二連接件包括具有相同電阻的第二級(jí)電阻器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切換器，其中，所述偏置網(wǎng)絡(luò)是對(duì)稱的，
其中，一半數(shù)量的所述晶體管在對(duì)稱線的一側(cè)，而另一半數(shù)量的所述晶體管在所述對(duì)稱線的另一側(cè)，以及
其中，通過(guò)所述偏置網(wǎng)絡(luò)、從直流控制器至位于距所述對(duì)稱線相同距離處的任意兩個(gè)晶體管的電通路是拓?fù)涞葍r(jià)的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切換器，還包括設(shè)置在所述控制線和直流控制器之間的第三級(jí)電阻器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切換器，還包括為各晶體管設(shè)置的梯形電阻器，所述梯形電阻器在所述晶體管的源極和漏極之間與所述晶體管并聯(lián)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切換器，其中，對(duì)中央晶體管對(duì)而言，所述第一節(jié)點(diǎn)通過(guò)電容器連接至所述中央晶體管對(duì)的一晶體管的漏極以及所述中央晶體管對(duì)的另一晶體管的源極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的切換器，其中，對(duì)所述偶數(shù)個(gè)晶體管的第一晶體管對(duì)和第二晶體管對(duì)而言，所述第一晶體管對(duì)和第二晶體管對(duì)至所述中央晶體管對(duì)的距離相同并設(shè)置在所述中央晶體管對(duì)的相對(duì)側(cè)，第一電容器將所述第一晶體管對(duì)的第一節(jié)點(diǎn)連接至所述第一晶體管對(duì)的一晶體管的漏極以及所述第一晶體管對(duì)的另一晶體管的源極，以及第二電容器將所述第二晶體管對(duì)的第一節(jié)點(diǎn)連接至所述第二晶體管對(duì)的一晶體管的漏極以及所述第二晶體管對(duì)的另一晶體管的源極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切換器，其中，所述切換器被限定在互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切換器，其中，所述切換器被限定在硅晶絕緣體芯片中。
9.一種射頻裝置，所述射頻裝置包括：
多個(gè)功率放大器；
天線；以及
天線切換器，所述天線切換器被配置為將所述多個(gè)功率放大器中的一個(gè)在某一時(shí)間耦合至所述天線，所述天線切換器包括為各功率放大器設(shè)置的串聯(lián)切換器，其中所述串聯(lián)切換器包括：
串聯(lián)的偶數(shù)個(gè)晶體管，所述偶數(shù)個(gè)晶體管的各晶體管具有源極、漏極和柵極，每?jī)蓚€(gè)相繼的晶體管限定一個(gè)晶體管對(duì)，所述
晶體管的數(shù)量為至少4個(gè)；以及
偏置網(wǎng)絡(luò)，所述偏置網(wǎng)絡(luò)包括：
控制線；
為各晶體管對(duì)設(shè)置的第一連接件,所述第一連接件包括連接兩個(gè)晶體管的柵極的第一節(jié)點(diǎn)，所述第一連接件包括兩個(gè)第一級(jí)電阻器，所述兩個(gè)第一級(jí)電阻器具有相同的電阻，并且串聯(lián)設(shè)置在晶體管對(duì)的柵極之間；
以及為兩個(gè)晶體管對(duì)設(shè)置的第二連接件，所述第二連接件包括連接所述第一節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)，所述第二節(jié)點(diǎn)耦合至所述控制線；
其中，所述第二節(jié)點(diǎn)和各第一節(jié)點(diǎn)之間的各第二連接件包括具有相同電阻的第二級(jí)電阻器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的射頻裝置，其中，所述偏置網(wǎng)絡(luò)是對(duì)稱的，
其中，一半數(shù)量的所述晶體管在對(duì)稱線的一側(cè)，而另一半數(shù)量的所述晶體管在所述對(duì)稱線的另一側(cè)，以及
其中，通過(guò)所述偏置網(wǎng)絡(luò)、從直流控制器至位于距所述對(duì)稱線相同距離處的任意兩個(gè)晶體管的電通路是拓?fù)涞葍r(jià)的。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于艾殼，未經(jīng)艾殼許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410256058.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 基于輸出反饋偏置型復(fù)連續(xù)反饋神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的無(wú)線光通信系統(tǒng)盲均衡方法
- 電感耦合等離子體處理系統(tǒng)及處理方法
- 電感耦合等離子體處理系統(tǒng)及處理方法
- 基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的語(yǔ)音識(shí)別方法、裝置及電子設(shè)備
- 柵偏置網(wǎng)絡(luò)的自偏置分布式放大器的功率增強(qiáng)裝置和方法
- 經(jīng)由偏置項(xiàng)在深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中納入自頂向下信息
- 移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)范圍擴(kuò)展偏置的調(diào)整方法及裝置
- 一種射頻放大器
- 一種神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)批歸一化的優(yōu)化方法及裝置
- 一種功率放大器偏置電路
