[發(fā)明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法和陣列基板的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410255910.4
• 申請日: 2014-06-10
• 公開（公告）號: CN104022042B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李良堅;左岳平
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/78
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成包括有源層的圖形，所述有源層包括低溫多晶硅；

在形成了包括所述有源層的圖形的所述襯底基板上，形成柵極絕緣層；

在形成了所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，形成包括柵極的圖形；

在形成了包括所述柵極的圖形的所述襯底基板上，形成層間絕緣層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對應(yīng)于源極和漏極的接觸孔；

在所述接觸孔底部形成低溫多晶硅；

形成包括所述源極和所述漏極的圖形，所述源極和所述漏極通過所述接觸孔以及所述接觸孔底部的低溫多晶硅連接所述有源層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成包括有源層的圖形，所述有源層包括低溫多晶硅，包括：

在所述襯底基板上形成一層非晶硅；

使用準(zhǔn)分子激光退火工藝對非晶硅進(jìn)行處理，使頂部的非晶硅轉(zhuǎn)化為低溫多晶硅；

經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括所述有源層的圖形，以形成所述有源層，所述有源層包括非晶硅和位于非晶硅上的低溫多晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成包括有源層的圖形，所述有源層包括低溫多晶硅，包括：

在所述襯底基板上形成一層非晶硅；

使用準(zhǔn)分子激光退火工藝對非晶硅進(jìn)行處理，使非晶硅全部轉(zhuǎn)化為低溫多晶硅；

經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括所述有源層的圖形，以形成所述有源層，所述有源層包括低溫多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述接觸孔底部形成低溫多晶硅，包括：

使用準(zhǔn)分子激光退火工藝對所述接觸孔底部的所述有源層進(jìn)行處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述接觸孔底部形成低溫多晶硅，包括：

在所述襯底基板上形成非晶硅；

使用準(zhǔn)分子激光退火工藝對非晶硅進(jìn)行處理，使非晶硅轉(zhuǎn)化為低溫多晶硅；

經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝，僅保留所述接觸孔底部的低溫多晶硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述在襯底基板上形成包括有源層的圖形，所述有源層包括低溫多晶硅，之前包括：

在所述襯底基板上形成緩沖層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述準(zhǔn)分子激光退火工藝中使用的準(zhǔn)分子激光為XeCl激光，其波長為308nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述準(zhǔn)分子激光退火工藝中使用的準(zhǔn)分子激光的能量密度為200～300mJ/cm²。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述準(zhǔn)分子激光退火工藝中的相鄰兩個時刻的光斑之間的重合率為94～98％。

10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法。