[發明專利]一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法

有效

• 申請號: 201410255650.0
• 申請日: 2014-06-10
• 公開（公告）號: CN104005073B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發明（設計）人: 姚忠平;沈巧香;胡冰;姜兆華
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所23109
• 代理人: 牟永林

1.一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法，其特征在于一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法具體是按以下步驟完成的：

一、鈦合金TC4前處理：首先依次使用60#干砂紙、240#水磨砂紙和400#的水磨砂紙對鈦合金TC4進行打磨處理，然后使用NaOH溶液去除鈦合金TC4表面的油，再用蒸餾水清洗，電吹風吹干，得到處理后的鈦合金TC4；

步驟一所述的NaOH溶液由NaOH和蒸餾水混合而成，且所述的NaOH的質量與蒸餾水的體積比為(8g～10g):1L；

二、微弧氧化：將處理后的鈦合金TC4置于不銹鋼的電解液中，鈦合金TC4與電源的正極相連接，作為陽極，不銹鋼電解槽與電源的負極相連接，作為陰極；采用脈沖微弧氧化電源供電，在電流密度為6A/dm²～14A/dm²、電源頻率為50Hz～500Hz、占空比為10％～45％，電解液的溫度為20℃～40℃和電解液的pH值為0.54～7.88的條件下微弧氧化反應3min～70min，得到鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層；

步驟二所述的電解液由主成膜劑和輔助成膜劑組成，溶劑為水；所述的電解液中主成膜劑的濃度為3g/L～8g/L，輔助成膜劑的濃度為0.3g/L～10g/L。

2.一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法，其特征在于步驟一所述的NaOH的質量與蒸餾水的體積比為10g:1L。

3.一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法，其特征在于步驟二中將處理后的鈦合金TC4置于不銹鋼的電解液中，鈦合金TC4與電源的正極相連接，作為陽極，不銹鋼電解槽與電源的負極相連接，作為陰極；采用脈沖微弧氧化電源供電，在電流密度為8A/dm²～14A/dm²、電源頻率為100Hz～500Hz、占空比為20％～45％，電解液的溫度為20℃～40℃和電解液的pH值為0.54～1的條件下微弧氧化反應3min～4.5min。

4.一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法，其特征在于步驟二中將處理后的鈦合金TC4置于不銹鋼的電解液中，鈦合金TC4與電源的正極相連接，作為陽極；不銹鋼電解槽與電源的負極相連接，作為陰極，采用脈沖微弧氧化電源供電，在電流密度為8A/dm²～12A/dm²、電源頻率為300Hz～500Hz、占空比為10％～35％，電解液的溫度為20℃～40℃和電解液的pH值為0.54～1的條件下微弧氧化反應61min～70min。

5.一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法，其特征在于步驟二中將處理后的鈦合金TC4置于不銹鋼的電解液中，鈦合金TC4與電源的正極相連接，作為陽極；不銹鋼電解槽與電源的負極相連接，作為陰極，采用脈沖微弧氧化電源供電，在電流密度為10A/dm²～14A/dm²、電源頻率為400Hz～500Hz、占空比為10％～15％，電解液的溫度為20℃～40℃和電解液的pH值為1～5的條件下微弧氧化反應20min～55min。

6.一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法，其特征在于步驟二所述的主成膜劑為氟鋯酸鉀。

7.一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法，其特征在于步驟二所述的輔助成膜劑為磷酸二氫鈉、磷酸、次亞磷酸鈉、六偏磷酸鈉、多聚磷酸鈉、磷酸氫二鈉和磷酸三鈉中的一種或其中幾種的混合物。

8.一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法，其特征在于步驟二所述的電解液中主成膜劑的濃度為4g/L～6g/L，輔助成膜劑的濃度為0.3g/L～0.4g/L。

9.一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法，其特征在于步驟二所述的電解液中主成膜劑的濃度為3g/L～4g/L，輔助成膜劑的濃度為2g/L～4g/L。

10.一種鈦合金TC4表面低太陽吸收率高發射率涂層的制備方法，其特征在于步驟二所述的電解液中主成膜劑的濃度為3g/L～8g/L，輔助成膜劑的濃度為3g/L～5g/L。