[發明專利]一種基于激光誘導晶化的非晶硅薄膜太陽能電池器件的制備方法

無效

• 申請號: 201410254559.7
• 申請日: 2014-06-10
• 公開（公告）號: CN104037269A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 史偉民;匡華慧;黃璐;金晶;陸舒逸;楊偉光;劉進;明秀春
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

1.一種基于激光誘導晶化的非晶硅薄膜太陽能電池器件的制備方法，其特征在于具有以下的過程和步驟：

A.??????采用等離子體化學氣相沉積法，在射頻功率為35W，功率源電容耦合為13.56MHz，襯底氧化銦錫（ITO）導電玻璃的溫度范圍為180～300℃，氣體輝光氣壓范圍為90Pa以下，制備各層非晶硅；其具體工藝參數為：

a.?????????p型層非晶硅的制備：硼烷B₂H₆與硅烷SiH₄質量流量比為0.28%，厚度為20～50nm；

b.????????i型層非晶硅制備：硅烷SiH₄與氫氣H₂質量流量比為10%，厚度為300～600nm；

c.?????????n型層非晶硅的制備：磷烷PH₃與硅烷SiH₄質量流量比為0.55%，厚度為30～50nm；

B.?????光學薄膜層多晶硅的制備：使用波長為532nm的倍頻摻釹釔鋁石榴石（Nd:YAG）激光輻照樣品表面，經蠅眼技術整形為平頂綠色激光后晶化n型和p型層非晶硅，實現n型和p型層由非晶硅轉變為多晶硅光學薄膜層，調節激光能量密度為600～1200mJ/cm²；

C.?????陰極導電電極層的制備：使用磁控濺射制備摻鋁氧化鋅導電電極，厚度為15～30nm；

D.????環氧樹脂層封裝層的制備：配制環氧樹脂的透明溶液，澆注薄膜玻璃四周，蓋上上層玻璃蓋子，就得到非晶硅薄膜太陽能電池器件。