[發明專利]用于形成金金屬基體復合材料的方法和裝置有效
| 申請號: | 201410254210.3 | 申請日: | 2014-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN104233039B | 公開(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發明(設計)人: | C·D·克利斯托弗;L·E·布朗寧;M·K·皮里奧德;T·A·沃紐克 | 申請(專利權)人: | 蘋果公司 |
| 主分類號: | C22C32/00 | 分類號: | C22C32/00;C22C5/02;C22C1/08;C22C26/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 李躍龍 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 形成 金屬 基體 復合材料 方法 裝置 | ||
1.一種金金屬基體復合材料,其包含:
包含多個陶瓷顆粒的多孔預制體,該多孔預制體包括位于陶瓷顆粒之間的空間;和
金基體,該金基體包含在多孔預制體的空間內形成的金的網絡,其中陶瓷顆粒和金的相對量使得將該金金屬基體復合材料表征為18k金組合物,該組合物具有至少65體積分數的陶瓷,其中金金屬基體復合材料具有9.0g/cm3以下的密度。
2.權利要求1的金金屬基體復合材料,其中該金金屬基體復合材料是用于電子器件的殼體。
3.權利要求1的金金屬基體復合材料,其中該金金屬基體復合材料的熔點高于2967℃。
4.權利要求1的金金屬基體復合材料,其中該陶瓷顆粒包括石榴石、碳化硼、碳化硅、氮化鋁、金剛石、和氮化硼中的一種或多種。
5.一種金金屬基體復合材料,其包含:
包含多個陶瓷顆粒的多孔預制體,該多孔預制體包括位于陶瓷顆粒之間的空間;和
金基體,該金基體包含在多孔預制體的空間內形成的金的網絡,其中將該金金屬基體復合材料表征為18k金,
其中該金金屬基體復合材料的密度大于7.0g/cm3且小于18.2g/cm3,
其中該金金屬基體復合材料的熔點高于1200℃。
6.權利要求5的金金屬基體復合材料,其中該陶瓷顆粒包括石榴石、碳化硼、碳化硅、氮化鋁、金剛石、氮化硼、氧化鋁、藍寶石、氧化釔、氧化鈦和氧化鋯中的一種或多種。
7.一種形成金金屬基體復合材料的方法,其包含:
形成包含多個陶瓷顆粒的多孔預制體,該多孔預制體包括位于陶瓷顆粒之間的空間;和
形成金基體,將金沉積在多孔預制體的空間內,其中將該金金屬基體復合材料表征為18k金,
其中該金金屬基體復合材料的密度大于7.0g/cm3且小于18.2g/cm3。
8.權利要求7的方法,其中該陶瓷顆粒包括石榴石、碳化硼、碳化硅、氮化鋁、金剛石、氮化硼、氧化鋁、藍寶石、氧化釔、氧化鈦和氧化鋯中的一種或多種。
9.一種金金屬基體復合材料,其包含:
包含多個陶瓷顆粒的多孔預制體,該多孔預制體包括位于陶瓷顆粒之間的空間;和
金基體,該金基體包含在多孔預制體的空間內形成的金的網絡,其中將該金金屬基體復合材料表征為18k金,
其中陶瓷顆粒足夠小從而賦予金金屬基體復合材料連續的外觀,
其中該金金屬基體復合材料的密度大于7.0g/cm3且小于18.2g/cm3。
10.權利要求9的金金屬基體復合材料,其中該金金屬基體復合材料表征為具有至少400Hv的維氏硬度值。
11.權利要求9的金金屬基體復合材料,其中該金金屬基體復合材料具有與用于電子器件的殼體一致的形狀。
12.一種用于電子器件的殼體,該殼體包含:
形成殼體的至少一部分外表面的金合金基體復合材料,該金合金基體復合材料包含:
包含金合金的連續金屬材料,和
分散于連續金屬材料內的多個陶瓷顆粒,與不具有陶瓷顆粒的連續金屬材料相比,多個陶瓷顆粒提高了金合金基體復合材料的硬度,其中金合金基體復合材料包含75質量%的金,其中該金合金基體復合材料的密度大于7.0g/cm3且小于18.2g/cm3。
13.權利要求12的殼體,其中與不具有多個陶瓷顆粒的連續金屬材料相比,陶瓷顆粒提高了金合金基體復合材料的耐刮性。
14.權利要求12的殼體,其中金合金包括金和選自銀、銅、鎳和鉑中的一種或多種合金化元素。
15.權利要求12的殼體,其中按維氏標度測量該金合金基體復合材料的硬度為至少400Hv。
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