[發明專利]諧振逆變器的死區時間優化有效
| 申請號： | 201410254197.1 | 申請日： | 2014-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN104224309B | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發明（設計）人： | J·H·約翰遜;J·A·吉爾伯特 | 申請（專利權）人： | 柯惠有限合伙公司 |
| 主分類號： | A61B18/12 | 分類號： | A61B18/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 馮玉清 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 諧振 逆變器 死區 時間 優化 | ||
1.一種電外科發生器，包括：
包括H橋和槽的諧振逆變器；
被配置成測量所述槽的包括輸入電壓和輸出電壓的特性的傳感器陣列；
被配置成向所述H橋輸出第一PWM時序信號和第二PWM時序信號的PWM控制器，其中所述PWM控制器基于由所述傳感器陣列測量的所述至少一個特性來控制所述第一PWM時序信號和所述第二PWM時序信號之間的死區時間；
其中，所述PWM控制器基于所述輸入電壓和所述輸出電壓來計算效率測度；以及
其中，所述PWM控制器基于所述效率測度來控制所述死區時間。
2.如權利要求1所述的電外科發生器，其中，所述傳感器陣列測量輸入電壓、輸出電壓和輸出電流，所述PWM控制器使用所述輸入電壓、所述輸出電壓和所述輸出電流來確定所述死區時間。
3.如權利要求2所述的電外科發生器，其中，所述PWM控制器基于所述輸出電壓和所述輸出電流來計算負載測度。
4.如權利要求1所述的電外科發生器，其中，所述PWM控制器包括其上存儲有查找表的存儲器。
5.如權利要求4所述的電外科發生器，其中，所述PWM控制器確定所述H橋的相移。
6.如權利要求5所述的電外科發生器，其中，所述傳感器陣列測量輸出電壓和輸出電流，所述PWM控制器基于所述輸出電壓和所述輸出電流來確定負載測度。
7.如權利要求6所述的電外科發生器，其中，所述PWM控制器通過將所述相移和所述負載測度與所述查找表中的數據進行比較來確定所述死區時間。
8.一種用于優化諧振逆變器中的場效應晶體管FET過渡的死區時間的方法，所述方法包括：
初始化所述FET過渡的死區時間；
確定所述諧振逆變器的第一效率測度；
增大所述FET過渡的死區時間；
確定所述諧振逆變器的第二效率測度；以及
基于所述第一效率測度和所述第二效率測度之間的比較，調整所述死區時間；
其中，如果所述第二效率測度大于所述第一效率測度達預定百分比，則增大所述死區時間，以及
其中，如果所述第二效率測度小于所述第一效率測度達預定百分比，則減小所述死區時間。
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