[發明專利]離子注入工藝后的光刻膠層的去除方法

無效

• 申請號: 201410254077.1
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN103996617A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 宋振偉;徐友峰;陳晉
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;G03F7/42
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種離子注入工藝后的光刻膠層的去除方法，用于將離子注入工藝后的光刻膠層去除，所述光刻膠層包括：交聯層和位于交聯層下方的剩余光刻膠層，其特征在于，包括：

紫外光照射步驟，用于對所述交聯層進行照射，改變所述交聯層的性質；濕法清洗步驟，對改變性質后的交聯層和剩余光刻膠層進行清洗以從半導體襯底的表面去除。

2.如權利要求1所述的離子注入工藝后的光刻膠層的去除方法，其特征在于，所述紫外光照射的波長范圍為254-300納米。

3.如權利要求1所述的離子注入工藝后的光刻膠層的去除方法，其特征在于，所述光能密度范圍為25-28毫瓦每平方厘米。

4.如權利要求1所述的離子注入工藝后的光刻膠層的去除方法，其特征在于，所述光劑量大于3焦每平方厘米。

5.如權利要求1所述的離子注入工藝后的光刻膠層的去除方法，其特征在于，所述濕法清洗步驟利用槽式濕法刻蝕工藝進行。

6.如權利要求1所述的離子注入工藝后的光刻膠層的去除方法，其特征在于，所述濕法清洗步驟利用SPM溶液進行。所述SPM溶液包括硫酸和雙氧水，所述硫酸和雙氧水的體積比例為4：1-6：1。

7.如權利要求1所述的離子注入工藝后的光刻膠層的去除方法，其特征在于，所述濕法清洗步驟的溫度室125-130攝氏度，工藝時間為5-10分鐘。

8.如權利要求1所述的離子注入后的光刻膠層的去除方法，其特征在于，還包括:

在所述濕法清洗步驟之后，對所述半導體襯底進行SC1清洗的步驟，所述SC1清洗步驟利用NH₄OH、H₂O₂、H₂O的混合溶液進行。

9.如權利要求8所述的離子注入后的光刻膠層的去除方法，其特征在于，NH₄OH、H₂O₂、H₂O的溶液的比例范圍為1:1:5～1:2:7。