[發明專利]靜電紡絲制備一維高缺陷NiO納米線及其在催化方面的應用有效
| 申請號： | 201410253724.7 | 申請日： | 2014-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN103991914A | 公開（公告）日： | 2014-08-20 |
| 發明（設計）人： | 向斌;沈夢;楊雷 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學 |
| 主分類號： | C01G53/04 | 分類號： | C01G53/04;B01J23/755;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜電 紡絲 制備 一維高 缺陷 nio 納米 及其 催化 方面 應用 | ||
1.一種一維NiO納米線的制備方法，
其特征在于以乙酸鎳，N-N二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮作為反應的前驅體。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其包括如下步驟：
(1)將乙酸鎳(Ni(CH3COO)2·4H2O)和N-N二甲基甲酰胺(DMF)，以及聚乙烯吡咯烷酮(PVP)配制成均勻的前驅體溶液。
(2)用鋁箔作為收集納米線的襯底，設置注射泵的電壓和流速，以及接收距離，進行紡絲。
(3)紡絲結束，將收集到的Ni(CH3COO)2/PVP復合納米線放入大坩堝中，在烘箱中一定溫度下烘烤一定時間，然后再在空氣氛圍下在馬弗爐中進行煅燒過程。
(4)降到室溫后，得到的納米線即為純凈單一的NiO納米線。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于步驟(2)中所述的電壓為15kV，流速為1.5ml/h，接收距離為15cm。
4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于步驟(3)中所述的烘箱烘烤溫度為150℃，煅燒過程為先以2℃/min的升溫速率升至280℃保溫1h，再以2℃/min的升溫速率升至500℃保溫1h。
5.根據權利要求1-4任一項所述的制備方法制備的一維高缺陷NiO納米線。
6.根據權利要求5所述的一維高缺陷NiO納米線用于光催化的用途。
7.根據權利要求6所述的用途，其特征在于所述一維高缺陷NiO納米線用作副催化劑。
8.根據權利要求5所述的一維高缺陷NiO納米線用于可控的提高催化效率的研究。
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