[發明專利]襯底處理方法及其設備有效
| 申請號: | 201410253690.1 | 申請日: | 2014-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN104795343B | 公開(公告)日: | 2018-12-04 |
| 發明(設計)人: | 林秀和;佐藤洋平;大口壽史;富田寬 | 申請(專利權)人: | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 牛南輝;楊曉光 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 處理 方法 及其 設備 | ||
1.一種襯底處理方法,所述方法包括:
將超純水供應到襯底的表面;
將含HFIP(1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇)溶劑供應到已附著所述超純水的所述襯底的所述表面;
將具有在所述含HFIP溶劑中的溶解性且沸點為100℃或者更高的含PFC(全氟化碳)的第一溶劑供應到已附著所述含HFIP溶劑的所述襯底的所述表面;
將已附著所述第一溶劑的所述襯底引入到室中,用超臨界流體替代在所述襯底的所述表面上的所述第一溶劑,接著,通過減小所述室內的壓力將所述超臨界流體改變為氣體;以及
從所述室取出所述襯底。
2.根據權利要求1的所述襯底處理方法,其中所述超臨界流體是含氟溶劑。
3.根據權利要求1的所述襯底處理方法,其中所述第一溶劑的沸點低于所述超臨界流體的臨界溫度。
4.一種襯底處理設備,所述設備包括:
將超純水供應到襯底的表面的超純水供應部;
將含HFIP(1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇)溶劑供應到已附著所述超純水的所述襯底的所述表面的含HFIP溶劑供應部;
將具有在所述含HFIP溶劑中的溶解性且沸點為100℃或者更高的含PFC(全氟化碳)的第一溶劑供應到已附著所述含HFIP溶劑的所述襯底的所述表面的第一溶劑供應部;以及
超臨界干燥處理單元,其將已附著所述第一溶劑的所述襯底引入到室中,用超臨界流體替代在所述襯底的所述表面上的所述第一溶劑,接著,通過減少所述室內的壓力,將所述超臨界流體改變為氣體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





