[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410253650.7
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN104241235B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 小野善宏;木田剛;坂田賢治
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件，其包括：

具有第一主面和在所述第一主面上形成的多個電極的接線板，以及

半導體芯片，其安裝在所述接線板之上并且經由多個焊料耦合至所述電極，

其中，所述半導體芯片包括：

第二主面、在所述第二主面上形成的多個電極焊盤、

覆蓋所述多個電極焊盤的各自的電極焊盤的一部分的第一絕緣膜、

從所述多個電極焊盤上的所述第一絕緣膜露出的多個開口部、

在所述多個電極焊盤和所述第一絕緣膜上形成并連接到所述多個焊料上的多個導體柱、以及

在所述多個電極焊盤中的第一電極焊盤的外側形成的保護環；

其中，所述多個導體柱中的第一導體柱與所述第一絕緣膜重疊的部分指定為重疊區域時，第一寬度小于第二寬度，所述第一寬度為所述重疊區域的位于第一直線上的寬度，所述第一直線經過所述第一導體柱的中心和所述半導體芯片的中心，所述第二寬度為所述重疊區域的位于延長線上的寬度，所述延長線在經過所述第一直線的所述第一導體柱的中心的方向上延伸，

在截面圖中，所述第一導體柱被設置為覆蓋所述保護環。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一導體柱的所述中心比多個所述開口部中的位于所述第一電極焊盤上的第一開口部的中心更遠離所述半導體芯片的所述中心。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述半導體芯片具有覆蓋所述第二主面上的所述多個電極焊盤的各自的電極焊盤的一部分的第二絕緣膜，

所述第二絕緣膜由所述第一絕緣膜覆蓋。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述導體柱的布置節距的平均值比所述開口部的布置節距的平均值更大。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，在平面圖中，所述第一導體柱是所述多個導體柱中的與所述半導體芯片的端部最接近的導體柱。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述第二絕緣膜是氧化硅和氮化硅的疊層膜。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述多個電極焊盤、所述多個開口部和所述多個導體柱沿所述半導體芯片的第一側以至少兩行布置，以及

在所述兩行中更內一行中的所述導體柱的中心和與所述導體柱重疊的所述開口部的中心對準。