[發明專利]一種穩定、高效率制氫助催化劑及其制備方法

無效

• 申請號: 201410253260.X
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN103990472A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 向斌;楊雷
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: B01J27/051
• 分類號: B01J27/051;C01B3/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王旭

1.一種穩定、高效率制氫助催化劑，所述制氫助催化劑通過金屬納米顆粒修飾半導體薄膜制氫助催化劑形成。

2.根據權利要求1所述的穩定、高效率制氫助催化劑，金屬納米顆粒位于半導體薄膜制氫助催化劑的表面，且形成金屬半導體結。

3.根據權利要求1或2所述的穩定、高效率制氫助催化劑，其中所述金屬納米顆粒包括Cr、Ag、Fe、Co、或Ni。

4.根據權利要求1或2所述的穩定、高效率制氫助催化劑，其中所述半導體薄膜制氫助催化劑包括MoS₂、WS₂或MoSe₂。

5.根據權利要求1或2所述的、高效率制氫助催化劑，優選其具有M-MoS₂表示的化學組成，其中M＝Cr或Ag。

6.權利要求1-5任一項所述的穩定、高效率制氫助催化劑用于催化劑催化的光催化分解水的用途。

7.根據權利要求6所述的用途，其中，所述催化劑包括CdS或TiO₂，優選CdS。

8.一種穩定、高效率制氫助催化劑的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將一定量的CTAB((C₁₆H₃₃(CH₃)₃)NBr)和金屬硝酸鹽(M(NO₃)_x)按順序溶于一定量的去離子水中，持續攪拌一段時間，直至它們完全溶解，其中；

(2)將半導體薄膜制氫助催化劑放入上述的溶液中，在持續的攪拌下，再將一定濃度的抗壞血酸(C₆H₈O₆)溶液和NaOH溶液分別加入到上述混合液中；

(3)攪拌一段時間后，將反應后的懸浮液取出，離心，用無水乙醇和去離子水清洗，并且將清洗后的沉淀烘干，從而得到產物。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其中步驟(2)中的抗壞血酸溶液和NaOH溶液要用移液槍緩慢地逐滴滴加，滴加速率在0.5滴/秒至2滴/秒之間，且滴加的過程中要持續的攪拌；步驟(3)中的攪拌時間為10分鐘至1小時；且步驟(3)中分別用無水乙醇和去離子水清洗的次數在3至6次之間。

10.根據權利要求8或9所述的制備方法，其中M選自Cr、Ag、Fe、Co或Ni，優選Cr或Ag，所述半導體薄膜制氫助催化劑包括MoS₂、WS₂或MoSe₂，優選為MoS₂納米片。