[發(fā)明專利]一種信號衰減設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410253161.1
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN103986499A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫洪亮;侯興哲;洛凱波;羅知書
• 申請（專利權(quán)）人: 國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)重慶市電力公司電力科學(xué)研究院
• 主分類號: H04B3/48
• 分類號: H04B3/48
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種信號衰減設(shè)備，其特征在于，包括：

濾除待測信號中的工頻信號的第一高頻耦合電路；

與所述第一高頻耦合電路相串連的信號衰減電路，所述信號衰減電路包括用于衰減頻點(diǎn)為f_i的子載波信號的信道單元i，其中，i＝1、2……N，所述N為大于或等于2的整數(shù)，所述N個信道單元串聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號衰減設(shè)備，其特征在于，所述信道單元i包括：

選通開關(guān)；

與所述選通開關(guān)相連的、用于衰減頻點(diǎn)為f_i的子載波信號的高頻陷波電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的信號衰減設(shè)備，其特征在于，還包括：

與信道單元N相串連的、濾除所述信道單元N的輸出信號中的工頻信號的第二高頻耦合電路。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號衰減設(shè)備，其特征在于，

所述第一高頻耦合電路與所述第二高頻耦合電路相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的信號衰減設(shè)備，其特征在于，還包括：

與所述第一高頻耦合電路并聯(lián)的、濾除所述待測信號中的高頻信號的第一工頻耦合電路；

與所述第一工頻耦合電路相串連的高頻隔離電路，所述高頻隔離電路包括M個串聯(lián)的高頻隔離單元，所述M為大于1的預(yù)設(shè)整數(shù)；

與高頻隔離單元M相串連的、濾除所述高頻隔離單元M的輸出信號中的高頻信號的第二工頻耦合電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信號衰減設(shè)備，其特征在于，所述第一工頻耦合電路與所述第二工頻耦合電路相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的信號衰減設(shè)備，其特征在于，所述第一工頻耦合電路結(jié)構(gòu)為工頻鐵芯隔離變壓器結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7任一項所述的信號衰減設(shè)備，其特征在于，所述高頻隔離單元的結(jié)構(gòu)為LC低通濾波器T型對稱電路結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述信號衰減設(shè)備，其特征在于，所述第一高頻耦合電路的結(jié)構(gòu)為LC高通濾波器T型對稱電路結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號衰減設(shè)備，其特征在于，所述f₁<f₂<……<f_N，所述f₁大于所述高頻耦合電路的輸出信號中的子載波的最小頻率，所述f_N小于所述高頻耦合電路的輸出信號中的子載波的最大頻率。