[發明專利]一種瞬態電壓抑制二極管

有效

• 申請號: 201410252813.X
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN103985766B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 陳偉元
• 申請（專利權）人: 蘇州市職業大學
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙)32246
• 代理人: 劉艷春

1.一種瞬態電壓抑制二極管，其特征在于：包括上臺體（1）、與上臺體（1）底面面接觸的中臺體（2）和與中臺體（2）底面面接觸的下臺體（13），所述上臺體（1）和與下臺體（13）各自的外側面均為斜面，此上臺體（1）包括第一輕摻雜N型區（3）、第一重摻雜N型區（4），所述中臺體（2）從上至下依次為第一輕摻雜P型區（14）、重摻雜P型區（15）和第二輕摻雜P型區（16），此下臺體（13）包括第二輕摻雜N型區（5）、第二重摻雜N型區（6）；所述第一重摻雜N型區（4）、第一輕摻雜N型區（3）接觸并位于第一輕摻雜N型區（3）正上方，所述第二重摻雜N型區（6）、第二輕摻雜N型區（5）接觸并位于第二輕摻雜N型區正下方；

所述中臺體（2）中第一輕摻雜P型區（14）與上臺體（1）的第一輕摻雜N型區（3）接觸形成第一PN結接觸面，所述中臺體（2）中第二輕摻雜P型區（16）與下臺體（13）的第二輕摻雜N型區（5）接觸形成第二PN結接觸面；

一第一鈍化保護層（7）覆蓋于第一重摻雜N型區（4）上表面的邊緣區域和第一重摻雜N型區（4）的側表面，一第二鈍化保護層（8）覆蓋于第二重摻雜N型區（6）下表面的邊緣區域和第二重摻雜N型區（6）的側表面，上金屬層（9）覆蓋于第一重摻雜N型區（4）的中央區域，下金屬層（10）覆蓋于第二重摻雜N型區（6）的中央區域；

所述第一輕摻雜N型區（3）與第一重摻雜N型區（4）接觸的上部區域且位于第一輕摻雜N型區（3）邊緣的四周區域具有第一中摻雜N型區（11），此第一中摻雜N型區（11）的上表面與第一重摻雜N型區（4）的下表面接觸，此第一中摻雜N型區（11）的外側面延伸至上臺體（1）外側面，所述第一輕摻雜P型區（14）與重摻雜P型區（15）接觸的下部區域且位于第一輕摻雜P型區（14）邊緣的四周區域具有第一中摻雜P型區（12），此第一中摻雜P型區（12）的下表面與重摻雜P型區（15）的上表面接觸，此第一中摻雜P型區（12）的外側面延伸至中臺體（2）外側面；

所述第二輕摻雜N型區（5）與第二重摻雜N型區（6）接觸的下部區域且位于第二輕摻雜N型區（5）邊緣的四周區域具有第二中摻雜N型區（17），此第二中摻雜N型區（17）的下表面與第二重摻雜N型區（6）的上表面接觸，此第二中摻雜N型區（17）的外側面延伸至下臺體（13）外側面，所述第二輕摻雜P型區（16）與重摻雜P型區（15）接觸的上部區域且位于第二輕摻雜P型區（16）邊緣的四周區域具有第二中摻雜P型區（18），此第二中摻雜P型區（18）的上表面與重摻雜P型區（15）的下表面接觸，此第二中摻雜P型區（18）的外側面延伸至中臺體（2）外側面；所述上臺體（1）的外側面和與中臺體（2）中第一輕摻雜P型區（14）的外側面的夾角為150°，所述下臺體（13）的外側面和與中臺體（2）中第二輕摻雜P型區（16）的外側面的夾角為 138°。