[發(fā)明專利]一種耐高溫整流二極管器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410252279.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104009097B | 公開(公告)日: | 2017-09-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳偉元 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州市職業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L29/861 | 分類號(hào): | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司: | 蘇州銘浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)32246 | 代理人: | 劉艷春 |
| 地址: | 215104 江蘇省蘇州市吳中*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 耐高溫 整流二極管 器件 | ||
1.一種耐高溫整流二極管器件,其特征在于:包括上臺(tái)體(1)和與上臺(tái)體(1)底面面接觸的下臺(tái)體(2),所述上臺(tái)體(1)和與下臺(tái)體(2)各自的外側(cè)面均為斜面,此上臺(tái)體(1)包括輕摻雜N型區(qū)(3)、重?fù)诫sN型區(qū)(4),此下臺(tái)體(2)包括重?fù)诫sP型區(qū)(5)、輕摻雜P型區(qū)(6);所述重?fù)诫sN型區(qū)(4)、輕摻雜N型區(qū)(3)接觸并位于其正上方,所述重?fù)诫sP型區(qū)(5)與輕摻雜P型區(qū)(6)接觸并位于其正下方,所述上臺(tái)體(1)的輕摻雜N型區(qū)(3)與下臺(tái)體的輕摻雜P型區(qū)(6)接觸形成PN結(jié)接觸面且其位于輕摻雜P型區(qū)(6)正上方;
一第一鈍化保護(hù)層(7)覆蓋于重?fù)诫sN型區(qū)(4)上表面的邊緣區(qū)域和重?fù)诫sN型區(qū)(4)的側(cè)表面,一第二鈍化保護(hù)層(8)覆蓋于重?fù)诫sP型區(qū)(5)上表面的邊緣區(qū)域和重?fù)诫sP型區(qū)(5)的側(cè)表面,上金屬層(9)覆蓋于重?fù)诫sN型區(qū)(4)的中央?yún)^(qū)域,下金屬層(10)覆蓋于重?fù)诫sP型區(qū)(5)的中央?yún)^(qū)域;所述上金屬層(9)覆蓋區(qū)域比下金屬層(10)覆蓋區(qū)域小;
所述輕摻雜N型區(qū)(3)與重?fù)诫sN型區(qū)(4)接觸的上部區(qū)域且位于輕摻雜N型區(qū)(3)邊緣的四周區(qū)域具有中摻雜N型區(qū)(11),此中摻雜N型區(qū)(11)的上表面與重?fù)诫sN型區(qū)(4)的下表面接觸,此中摻雜N型區(qū)(11)的外側(cè)面延伸至上臺(tái)體(1)外側(cè)面,所述輕摻雜P型區(qū)(6)與重?fù)诫sP型區(qū)(5)接觸的下部區(qū)域且位于輕摻雜P型區(qū)(6)邊緣的四周區(qū)域具有中摻雜P型區(qū)(12),此中摻雜P型區(qū)(12)的下表面與重?fù)诫sP型區(qū)(5)的上表面接觸,此中摻雜P型區(qū)(12)的外側(cè)面延伸至下臺(tái)體(2)外側(cè)面;
所述PN結(jié)接觸面的中央?yún)^(qū)域具有上凸面(13),所述PN結(jié)接觸面的邊緣區(qū)域具有下凹面(14),此下凹面(14)位于上凸面(13)兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫整流二極管器件,其特征在于:所述上臺(tái)體(1)的外側(cè)面和與下臺(tái)體(2)的外側(cè)面的夾角為135°~155°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的耐高溫整流二極管器件,其特征在于:所述輕摻雜N型區(qū)(3)的濃度擴(kuò)散結(jié)深大于重?fù)诫sN型區(qū)(4)的濃度擴(kuò)散結(jié)深,比值為1.5~2:1。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





