[發明專利]一種肖特基二極管的制造方法在審
| 申請號： | 201410250761.2 | 申請日： | 2014-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN105448710A | 公開（公告）日： | 2016-03-30 |
| 發明（設計）人： | 崔金洪;謝春誠 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;黃燦 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 肖特基 二極管 制造 方法 | ||
1.一種肖特基二極管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
在硅片的第一表面制成二氧化硅層；
刻蝕所述二氧化硅層形成硬掩膜；
在所述二氧化硅層被刻蝕的部分進行光刻和刻蝕形成溝槽；
利用覆蓋所述硬掩膜和所述溝槽中間部分的掩膜板，在所述溝槽中形成柵極氧化層；
在所述硬掩膜以及所述柵極氧化層的基礎上制成多晶硅層；
移除所述第一表面上的所述硬掩膜以及所述溝槽外的多晶硅層；
沉積金屬并合金，制成第一金屬層；
對所述第一金屬層進行光刻和刻蝕，形成第一電極；
在所述硅片與所述第一表面相對的第二表面上形成第二電極。
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，制成所述二氧化硅層采用低壓化學氣相淀積設備，在680℃的溫度下淀積7000埃的二氧化硅。
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，刻蝕所述二氧化硅層采用干法刻蝕。
4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，刻蝕形成所述溝槽采用干法刻蝕，所述溝槽的深度為2.5um。
5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述柵極氧化層采用擴散爐在1000℃的溫度下生長4000埃的二氧化硅。
6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，制成所述多晶硅層采用低壓化學氣相淀積設備，在560℃的溫度下淀積8000埃的多晶硅。
7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，移除所述第一表面上的所述硬掩膜以及所述溝槽外的多晶硅層具體為：磨掉15500埃的厚度，包括8000埃的所述多晶硅層、7000埃的所述硬掩膜和500埃所述第一表面的硅。
8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，制成所述第一金屬層具體為：
通過濺射臺淀積1000埃的鈦金屬并在810℃的溫度下進行30秒的合金，然后再通過所述濺射臺濺射28000埃的鋁生成所述第一金屬層。
9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一電極具體為：對所述第一金屬層進行光刻和刻蝕，并經過金屬合金后采用擴散爐在425℃的溫度下擴散60分鐘形成所述第一電極。
10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二電極具體為：
將所述第二表面進行減薄至所述硅片減薄到325um，通過蒸發臺在所述第二表面淀積1000埃的鈦金屬、3000埃的鎳金屬以及20000埃的銀金屬形成所述第二電極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司，未經北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410250761.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
