[發明專利]薄膜沉積制備裝置和方法

有效

• 申請號: 201410250562.1
• 申請日: 2014-06-08
• 公開（公告）號: CN104046963A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 陶伯萬;熊杰;張飛;黎朝仁;趙曉輝;李言榮
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C14/22
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所 51215
• 代理人: 劉勛

1.薄膜沉積制備裝置，包括生長室、兩個襯底卷繞盤轉軸和襯底加熱裝置，其特征在于，所述襯底加熱裝置包括通過安裝機構并列設置于生長室內的第一電極組和第二電極組；兩個電極組位于兩個襯底卷繞盤轉軸之間，并且在第一電極組和第二電極組之間留有薄膜生長區；?

第一電極組包括電源接口和至少兩個襯底接觸電極塊，襯底接觸電極塊分布于襯底通道的兩側，第一電極組的各個襯底接觸電極塊相互為電連接，并且與電源接口形成電連接；?

第二電極組包括電源接口和至少兩個襯底接觸電極塊，襯底接觸電極塊分布于襯底通道的兩側，第二電極組的各個襯底接觸電極塊相互為電連接，并且與電源接口形成電連接。?

2.如權利要求1所述的薄膜沉積制備裝置，其特征在于，第一電極組包括電流分配電路和至少兩個電極單元，每個電極單元包括兩個分別設置于襯底通道兩側的襯底接觸電極塊，各個電極單元通過電流分配電路形成電連接；?

第二電極組包括電流分配電路和至少兩個電極單元，每個電極單元包括兩個分別設置于襯底通道兩側的襯底接觸電極塊，各個電極單元通過電流分配電路形成電連接。?

3.如權利要求2所述的薄膜沉積制備裝置，其特征在于，所述襯底接觸電極塊垂直于襯底通道。?

4.如權利要求2所述的薄膜沉積制備裝置，其特征在于，所述第一電極組包括至少3個電極單元，所述電流分配電路為串聯的電阻，各個電極單元分別連接于相鄰電阻的連接點和電阻串的兩端；第二電極組的結構與第一電極組相同。?

5.如權利要求1所述的薄膜沉積制備裝置，其特征在于，所述安裝機構包括電極位置調節機構。?

6.如權利要求1所述的薄膜沉積制備裝置，其特征在于，所述安裝機構包括第一電極組安裝機構和第二電極組安裝機構，?

第一電極組安裝機構包括螺桿和兩塊平行設置的絕緣板，螺桿將絕緣板安裝在生長室內，兩塊絕緣板之間為襯底通道，有一個電極位置調節機構與兩塊絕緣板連接，?

第二電極組安裝機構的結構與第一電極組安裝機構相同。?

7.如權利要求6所述的薄膜沉積制備裝置，其特征在于，每個電極組安裝機構都包括一個電極位置調節機構，所述電極位置調節機構包括至少三根螺桿、螺母和彈簧，螺桿穿過絕緣板上的通孔，使兩塊絕緣板保持板面相對的位置關系，螺桿與絕緣板的安裝孔為滑動配合，在絕緣板的外側的螺桿段上設置有螺母，螺母和絕緣板的外側之間設置有彈簧；襯底接觸電極塊設置于兩塊絕緣板的內側。?

8.如權利要求1所述的薄膜沉積制備裝置，其特征在于，在電極組的襯底入口和出口處還設置有襯底定位裝置；在兩個襯底卷繞盤轉軸和與之最鄰近的電極組之間，各設置有一個支撐輪，所述襯底通道為兩個支撐輪頂端確定的平面。?

9.如權利要求1所述的薄膜沉積制備裝置，其特征在于，在第一電極組和第二電極組之間，還設置有至少一個附加電極組；附加電極組包括至少兩個襯底接觸電極塊，分布于襯底通道的兩側，附加電極組包括電源接口；附加電極組通過自身的安裝結構設置于生長室內；相鄰的電極組之間為薄膜生長區。?

10.如權利要求6所述的薄膜沉積制備裝置，其特征在于，每一塊絕緣板上?至少設置有三個襯底接觸電極塊，各個襯底接觸電極塊按照等距離排布。?

11.薄膜沉積制備方法，包括下述步驟：1)金屬襯底加熱，2)沉積；?

其特征在于，所述步驟1)為：采用電極使電流從生長區一端的金屬襯底導入，從生長區另一端的金屬襯底導出，利用金屬襯底自身的電阻發熱實現加熱。?

12.如權利要求11所述的薄膜沉積制備方法，其特征在于，電流從金屬襯底的側邊導入或導出。?