[發(fā)明專利]一種表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410250429.6 | 申請日： | 2014-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN103991841A | 公開（公告）日： | 2014-08-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李昕欣;陳傳釗;許鵬程 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 表面 多功能 化微流控 芯片 圓片級 制造 方法 | ||
1.一種表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括步驟：
1)提供一表面具有微通道和儲液池的基底，在所述微通道和儲液池中生長第一自組裝單層膜；
2)提供一具有鏤空結(jié)構(gòu)的硬掩膜，與所述基底對準后，利用紫外光穿過鏤空結(jié)構(gòu)輻照至第一自組裝單層膜的局部區(qū)域，使所述第一自組裝單層膜的局部區(qū)域被氧化去除；
3)在去除第一自組裝單層膜的區(qū)域生長第二自組裝單層膜；
4)重復步驟2)，局部去除所述第一自組裝單層膜的另一局部區(qū)域，并在這一區(qū)域生長第三自組裝單層膜；
5)繼續(xù)重復上述去除和生長步驟，實現(xiàn)多重自組裝單層膜在圓片級基底表面的集成生長。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于：所述步驟1)中采用光刻和濕法腐蝕的方法在所述基底上形成微通道和儲液池。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于：所述步驟1)中生長第一自組裝單層膜之前還包括：首先，在基底表面除微通道和儲液池外的位置沉積保護層；然后，對所述基底進行等離子體或紫外光清洗。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于：所述保護層為鉻/金材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于：所述自組裝單層膜以與基底形成共價鍵的方式附著在基底表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于：所述自組裝單層膜通過硅烷偶聯(lián)劑生長在所述基底上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于：所述基底為硅片或玻璃片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于：所述多重自組裝單層膜按表面能由低到高的順序依次生長。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于：采用分子氣相沉積的方法生長形成多重自組裝單層膜，生長的多重自組裝單層膜的厚度在5nm以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于：所述步驟2)中紫外輻照的光源波長小于400nm，輻照過程在密閉腔體中進行，并向腔體中通入氧氣，腔體溫度為80～120℃，輻照20～40分鐘。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面多功能化微流控芯片的圓片級制造方法，其特征在于：所述步驟5)之后還依次包括步驟：去除保護層；劃片；將所述基底與一蓋板鍵合；在對應所述儲液池的蓋板上打孔。
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