[發(fā)明專利]發(fā)光二極體的量測裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410250400.8
• 申請日: 2014-06-06
• 公開（公告）號: CN104075879A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設計）人: 張晉源;曾家彬;翁思淵;王遵義;張?zhí)淼?/a>
• 申請（專利權）人: 致茂電子（蘇州）有限公司
• 主分類號: G01M11/02
• 分類號: G01M11/02;G01J1/04
• 代理公司: 上海宏威知識產權代理有限公司 31250
• 代理人: 袁輝

1.一種發(fā)光二極體的量測裝置，用于量測多個覆晶式發(fā)光二極體，其特征在于：該些覆晶式發(fā)光二極體之間皆具有一間隙，該發(fā)光二極體的量測裝置包含：

一晶片膜，承載該些覆晶式發(fā)光二極體；

一光檢測裝置，設置于該晶片膜相對該些覆晶式發(fā)光二極體的一側，該光檢測裝置具有一收光口；以及

一遮光元件，設置于該收光口，該遮光元件具有一透光區(qū)與一遮光區(qū)，該遮光區(qū)環(huán)繞該透光區(qū)，其中該透光區(qū)的面積可涵蓋單一覆晶式發(fā)光二極體與該間隙的部分范圍。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于：其中該遮光元件為一板材，且該透光區(qū)為一開口。

3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于：其中該開口的內壁越靠近該光檢測裝置其口徑越大。

4.根據(jù)權利要求3所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于：其中該遮光元件更包含一反射層，形成于該開口的內壁。

5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于：其中該遮光元件包含：

一透明載體；以及

一遮光層，形成于該透明載體相對該光檢測裝置的表面，其中該遮光層僅位于該遮光區(qū)中。

6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于：其中該光檢測裝置為一積分球。

7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于：其中該光檢測裝置包含：

一反射腔，具有該收光口；以及

一光偵測器，設置于該反射腔中。

8.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于：其中該光檢測裝置包含：

一反射腔，具有該收光口；以及

一太陽能板，設置于該反射腔中。

9.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于：更包含：

一探針組，設置于該些覆晶式發(fā)光二極體相對該光檢測裝置的一側。

10.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于：其中當該探針組接觸該些覆晶式發(fā)光二極體時，該遮光元件支撐該晶片膜使該探針組與該些覆晶式發(fā)光二極體電性連接。