[發明專利]薄膜晶體管及像素結構

有效

• 申請號: 201410249739.6
• 申請日: 2014-06-06
• 公開（公告）號: CN104022150B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 陳信學;陳培銘
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/768
• 分類號: H01L29/768;H01L29/06;H01L27/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種薄膜晶體管，配置于一基板上，該薄膜晶體管包括：

柵極；

絕緣層，覆蓋該柵極；

金屬氧化物半導體層，位于該柵極上方的該絕緣層上；

蝕刻阻擋層，覆蓋該金屬氧化物半導體層，且該蝕刻阻擋層具有第一接觸窗以及第二接觸窗；

源極以及漏極，分別相對設置于該蝕刻阻擋層上，其中該源極通過該第一接觸窗與該金屬氧化物半導體層電連接，且該漏極通過該第二接觸窗與該金屬氧化物半導體層電連接；

有機絕緣層，具有氧原子，該有機絕緣層覆蓋該蝕刻阻擋層、該源極以及該漏極；以及

金屬氧化物阻障層，覆蓋該有機絕緣層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該金屬氧化物半導體層的材料包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)或氧化鋅(ZnO)。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該蝕刻阻擋層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該金屬氧化物阻障層的材料包括氧化鋁或氧化鈦。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該有機絕緣層的厚度為1.5～3μm，該金屬氧化物阻障層的厚度為大于該有機絕緣層材料包括聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙酰類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類。

6.一種像素結構，包括：

薄膜晶體管，配置于一基板上，該薄膜晶體管包括：

柵極；

絕緣層，覆蓋該柵極；

金屬氧化物半導體層，位于該柵極上方的該絕緣層上；

蝕刻阻擋層，覆蓋該金屬氧化物半導體層，且該蝕刻阻擋層具有第一接觸窗以及第二接觸窗；

源極以及漏極，分別相對設置于該蝕刻阻擋層上，其中該源極通過該第一接觸窗與該金屬氧化物半導體層電連接，該漏極通過該第二接觸窗與該金屬氧化物半導體層電連接；

有機絕緣層，具有氧原子，該有機絕緣層覆蓋該蝕刻阻擋層、該源極以及該漏極；以及

金屬氧化物阻障層，覆蓋該有機絕緣層；以及

像素電極，位于該薄膜晶體管上且與該漏極電連接。

7.如權利要求6所述的像素結構，其中該金屬氧化物半導體層的材料包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)或氧化鋅(ZnO)。

8.如權利要求6所述的像素結構，其中該蝕刻阻擋層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

9.如權利要求6所述的像素結構，其中該金屬氧化物阻障層的材料包括氧化鋁或氧化鈦。

10.如權利要求6所述的像素結構，其中該有機絕緣層的厚度為1.5～3μm，該金屬氧化物阻障層的厚度為大于該有機絕緣層材料包括聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙酰類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類。