[發明專利]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201410249336.1
• 申請日: 2014-06-06
• 公開（公告）號: CN104062823B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 黃威;舒強
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 劉松

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)的陣列基板采用行列矩陣驅動模式，由多行柵極線和多列數據線交叉形成行列矩陣，并在各交叉處設置TFT，通過TFT實現對行列矩陣中的每個像素電極的控制。在分辨率不變的前提下，為了降低產品的成本，通常采用雙柵(Dual Gate)的陣列基板結構，來減少數據線的數量。

由于雙柵結構本身特性，兩根柵極線分別位于一行像素的上下兩側，而TFT器件需要跟著柵極走線分布，導致目前同一行的相鄰兩個像素連接的TFT器件區域上下錯開設置，由于相鄰像素的上下錯開設置，陣列基板中每個像素的透光區域不對稱，會導致顯示時的圖像邊緣鋸齒狀產生。

為了消除圖像邊緣鋸齒狀的產生，現有技術采用位于彩膜基板側的黑矩陣(Black Matrix，BM)將同一行的多個相鄰像素凸出的透光部分擋住，這樣，雖然消除了顯示時的鋸齒狀的產生，但會減少開口率。

綜上所述，現有技術中的雙柵極的陣列基板結構在顯示時會產生鋸齒狀，而現有技術中采用位于彩膜基板側的黑矩陣遮擋的雙柵極的陣列基板結構的開口率較低。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種陣列基板及顯示裝置。

本發明提供的一種陣列基板，包括多個像素單元，相鄰的兩行像素單元之間設置有第一柵極線和第二柵極線，所述像素單元內設置有薄膜晶體管，沿行方向相鄰的兩個所述像素單元內的所述薄膜晶體管的柵極分別連接所述第一柵極線和所述第二柵極線。

本發明還提供了一種顯示裝置，該裝置包括上述的陣列基板。

由本發明提供的上述陣列基板及顯示裝置，由于該陣列基板包括多個像素單元，相鄰的兩行像素單元之間設置有第一柵極線和第二柵極線，所述像素單元內設置有薄膜晶體管，沿行方向相鄰的兩個所述像素單元內的所述薄膜晶體管的柵極分別連接所述第一柵極線和所述第二柵極線，通過本發明設置的第一柵極線和第二柵極線可以將現有技術中上下錯開設置的多個相鄰像素連接的TFT器件區域正立過來，從而能夠有效的改善雙柵極的陣列基板結構在顯示時產生的鋸齒狀。

附圖說明

圖1為現有技術提供的一種雙柵極的陣列基板結構示意圖；

圖2為現有技術提供的另一種雙柵極的陣列基板結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的一種陣列基板結構示意圖；

圖4為本發明實施例一提供的一種陣列基板中的第一柵極線和第二柵極線走線示意圖；

圖5為本發明實施例二提供的一種陣列基板中的第一柵極線和第二柵極線走線示意圖；

圖6為本發明實施例三提供的一種陣列基板中的第一柵極線和第二柵極線走線示意圖；

圖7為圖6中沿AA1方向和BB1方向的截面示意圖；

圖8為本發明實施例四提供的一種陣列基板中的第一柵極線和第二柵極線走線示意圖；

圖9為本發明實施例提供的一種陣列基板中的第一種數據線走線示意圖；

圖10為本發明實施例提供的一種陣列基板中的另一種數據線走線示意圖；

圖11為本發明實施例提供的一種顯示裝置結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，由于雙柵結構本身特性，兩根柵極線分別位于一行像素的上下兩側，如圖中柵極線101和102分別位于水平方向的第一行像素的上下兩側，柵極線103和104分別位于水平方向的第二行像素的上下兩側，而TFT器件需要跟著柵極走線分布，導致目前同一行的相鄰兩個像素連接的TFT器件區域上下錯開設置，如：TFT器件15和16上下錯開設置，TFT器件16和17上下錯開設置，與上下錯開設置的TFT器件連接的相鄰像素也出現上下錯開設置，如：相鄰像素12和像素13上下錯開設置，相鄰像素13和像素14上下錯開設置。由于相鄰像素的上下錯開設置，陣列基板中每個像素的透光區域不對稱，會導致顯示時的圖像邊緣鋸齒狀產生。

如圖2所示，為了消除圖像邊緣鋸齒狀的產生，現有技術采用位于彩膜基板側的黑矩陣(Black Matrix，BM)將同一行的多個相鄰像素凸出的透光部分擋住，如：分別用黑矩陣20和21將相鄰像素12和像素13凸出的透光部分擋住，分別用黑矩陣21和22將相鄰像素13和像素14凸出的透光部分擋住，這樣，雖然消除了顯示時的鋸齒狀的產生，但會減少開口率。