[發明專利]一種倒裝發光二極管結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201410248717.8
• 申請日: 2014-06-06
• 公開（公告）號: CN103996773A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 何安和;林素慧;鄭建森;彭康偉;林瀟雄;徐宸科
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種倒裝發光二極管結構，包括：

一基板；

一外延層，位于所述基板之上，所述外延層包括：第一半導體層、第二半導體層以及夾于第一半導體層與第二半導體層之間的發光層；

至少一個開口結構，位于所述外延層的邊緣位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延層的側壁以及部分基板表面裸露，從而將外延層劃分為外延主體層與阻隔柵結構；

一絕緣層，位于所述開口結構之上，作為金屬電極隔離層。

2.根據權利要求1所述的一種倒裝發光二極管結構，其特征在于：所述阻隔柵結構具有避免芯片在使用中由于錫膏或其他固晶導電材料的溢流導致短路，提高倒裝發光二極管芯片的可靠性和良率的功效。

3.根據權利要求1所述的一種倒裝發光二極管結構，其特征在于：所述開口結構為U型或者是V型或者是W型或者是前述任意組合之一。

4.根據權利要求1所述的一種倒裝發光二極管結構，其特征在于：還包括在外延層上形成至少一個開口結構之前增設反射層。

5.根據權利要求4所述的一種倒裝發光二極管結構，其特征在于：所述反射層為反射金屬層或者是分布布拉格反射層或者是全方位反射層。

6.根據權利要求1所述的一種倒裝發光二極管結構，其特征在于：還包括在形成絕緣層后，再在外延層上設置金屬電極。

7.一種倒裝發光二極管的制作方法，其主要包括以下工藝步驟：

1）提供一基板；

2）在基板上制作外延層，所述外延層包括：第一半導體層、第二半導體層以及夾于第一半導體層與第二半導體層之間的發光層；

3）采用蝕刻工藝，從外延層表面往下蝕刻出至少一個開口結構，且延伸至基板表面，使得部分外延層的側壁以及部分基板表面裸露，從而將外延層劃分為外延主體層與阻隔柵結構；

4）在所述開口結構沉積絕緣層，作為金屬電極隔離層。

8.根據權利要求7所述的一種倒裝發光二極管結構的制作方法，其特征在于：所述阻隔柵結構具有避免發光二極管結構在使用中由于錫膏或其他固晶導電材料的溢流導致短路，提高倒裝發光二極管的可靠性和良率的功效。

9.根據權利要求7所述的一種倒裝發光二極管結構的制作方法，其特征在于：所述開口結構為U型或者是V型或者是W型或者是前述任意組合之一。

10.根據權利要求7所述的一種倒裝發光二極管結構的制作方法，其特征在于：還包括在外延層上形成至少一個開口結構之前先形成反射層。

11.根據權利要求7所述的一種倒裝發光二極管結構的制作方法，其特征在于：還包括在形成絕緣層后，再在外延層上制作金屬電極。