[發明專利]具有鰭狀結構的半導體元件及其制作方法

有效

• 申請號: 201410247402.1
• 申請日: 2014-06-05
• 公開（公告）號: CN105280496B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 簡金城;許信國;劉志建;林進富;吳俊元
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作具有鰭狀結構的半導體元件的方法，包含：

形成一鰭狀結構于一基底上；

形成一第一介電層于該基底及該鰭狀結構上；

沉積一第二介電層于該第一介電層上；

回蝕刻部分該第二介電層；

去除部分該第一介電層以暴露出該鰭狀結構的一頂表面及部分側壁；

形成一外延層并覆蓋所暴露的該鰭狀結構的頂表面及部分側壁，該鰭狀結構及該外延層之間包含一鍺濃度的線性梯度(linear gradient)；以及

去除部分該第二介電層。

2.如權利要求1所述的方法，還包含進行一原子層沉積制作工藝，以形成該第一介電層。

3.如權利要求1所述的方法，還包含回蝕刻部分該第二介電層，使該第二介電層的一頂表面與該第一介電層的頂表面齊平。

4.如權利要求1所述的方法，還包含在去除部分該第二介電層之前平坦化該外延層。

5.如權利要求1所述的方法，其中該第一介電層包含一氧化層。

6.如權利要求1所述的方法，其中該第二介電層包含一進階圖案化薄膜(advancedpattern film,APF)。

7.如權利要求1所述的方法，其中該外延層包含一硅鍺層。

8.如權利要求1所述的方法，其中該鰭狀結構包含鍺化硅。

9.如權利要求1所述的方法，包含一鍺濃度由該鰭狀結構朝該外延層線性遞增。

10.如權利要求1所述的方法，包含一鍺濃度由該外延層朝該鰭狀結構線性遞增。

11.一種具有鰭狀結構的半導體元件，包含：

基底；

鰭狀結構，設于該基底上；

第一介電層，設于該鰭狀結構的部分側壁上；以及

外延層，設于該鰭狀結構的一上表面及部分側壁，且該外延層直接接觸該第一介電層，其中該外延層及該鰭狀結構之間包含一鍺濃度的線性梯度(linear gradient)。

12.如權利要求11所述的半導體元件，包含一鍺濃度由該鰭狀結構朝該外延層線性遞增。

13.如權利要求11所述的半導體元件，包含一鍺濃度由該外延層朝該鰭狀結構線性遞增。

14.如權利要求11所述的半導體元件，其中該第一介電層設于該外延層及該基底之間。

15.如權利要求11所述的半導體元件，其中該第一介電層包含氧化層。

16.如權利要求11所述的半導體元件，還包含第二介電層，設于該第一介電層上。

17.如權利要求16所述的半導體元件，其中該第二介電層的高度高于該外延層及該第一介電層的交界處。

18.如權利要求16所述的半導體元件，其中該第二介電層包含一進階圖案化薄膜(advanced pattern film,APF)。