[發明專利]一種有機發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201410247203.0 | 申請日： | 2014-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN104037357A | 公開（公告）日： | 2014-09-10 |
| 發明（設計）人： | 許曉偉;石磊;徐文清 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;黃燦 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 有機 發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示裝置，包括陽極層、陰極層和設置于陽極層和陰極層之間的像素定義層和發光層，其中所述像素定義層具有開口，所述發光層設置于所述開口中，其特征在于，所述發光層與所述像素定義層之間設置有折射率大于所述像素定義層的折射率的高折射率絕緣層。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其特征在于，所述像素定義層的制作材料為聚酰亞胺、亞克力或酚醛樹脂，所述高折射率絕緣層的制作材料為Ti2O3、TiO2或ZnSe。
3.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其特征在于，所述高折射率絕緣層在所述開口處形成為彎曲弧形結構。
4.如權利要求3所述的有機發光顯示裝置，其特征在于，所述彎曲弧形與所述陽極層所在平面之間的夾角位于20度至45度之間。
5.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其特征在于，所述高折射率絕緣層的厚度為10至1000nm。
6.如權利要求3所述的有機發光顯示裝置，其特征在于，所述高折射率絕緣層鄰近所述發光層的表面設置有多個相互呈不同傾斜角度的微平面，用于對傳輸至所述高折射率絕緣層的所述光線的角度進行折射，以使折射后的所述光線在傳輸至所述高折射率絕緣層與所述像素定義層的界面處時發生全反射。
7.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其特征在于，所述有機發光顯示裝置還包括薄膜晶體管陣列基板，設置于所述陽極層遠離所述發光層的一側。
8.如權利要求1或7所述的有機發光顯示裝置，其特征在于，所述有機發光顯示裝置還包括彩膜基板，設置于所述陰極層遠離所述發光層的一側。
9.一種如權利要求1所述有機發光顯示裝置的制造方法，包括依次形成所述陽極層和所述像素定義層，其特征在于，還包括在所述像素定義層上形成所述高折射率絕緣層的步驟。
10.如權利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述像素定義層上形成所述高折射率絕緣層的步驟包括：
通過蒸鍍、磁控濺射等工藝在所述像素定義層上形成具有所述高折射率絕緣層的制成材料的膜層；
通過構圖工藝在所形成膜層上、所述像素定義層的開口位置形成開口，使陽極層露出，構成為高折射率絕緣層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
