[發(fā)明專利]磁性記錄媒體和在基板上圖案化薄膜的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410246897.6 | 申請日： | 2009-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN103996404B | 公開（公告）日： | 2017-08-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | O·那拉瑪蘇;S·文哈弗貝克;M·孚德;M·文卡特杉;N·M·克里希納 | 申請（專利權(quán)）人： | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號： | G11B5/855 | 分類號： | G11B5/855;G11B5/82;B82Y10/00;C23C14/04;C23C14/48 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務(wù)所有限公司31100 | 代理人： | 胡林嶺 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 使用 量化 離子 圖案 磁性 薄膜 方法 | ||
1.一種磁性記錄媒體，包括：
基板，具有安置于所述基板上的等離子體摻雜的磁性薄膜，所述磁性薄膜包括鈷合金層，所述鈷合金層具有：
第一區(qū)域的圖案，所述第一區(qū)域具有摻雜離子濃度，其中氦離子被植入至第一深度且硼離子被植入至第二深度，所述第二深度小于所述第一深度，且其中具有摻雜離子濃度的所述第一區(qū)域呈現(xiàn)出的磁性性質(zhì)與相鄰于所述第一區(qū)域的區(qū)域不同。
2.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄媒體，其特征在于，所述摻雜離子為氦，并且所述摻雜離子濃度保持恒定達10納米深度。
3.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄媒體，其特征在于，所述等離子體摻雜的磁性薄膜包括Co-Pt。
4.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄媒體，其特征在于，所述等離子體摻雜的磁性薄膜包括Co-Pd。
5.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄媒體，其特征在于，所述等離子體摻雜的磁性薄膜包括CoCrPt合金。
6.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄媒體，其特征在于，還包括柔軟底層，所述柔軟底層包括FeNi合金，其中所述等離子體摻雜的磁性薄膜安置于所述柔軟底層上。
7.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄媒體，其特征在于，所述摻雜離子濃度包括硼離子的第一濃度和氦離子的第二濃度。
8.一種在基板上圖案化薄膜的方法，包括：
將磁性薄膜安置在所述基板上；
將圖案安置于所述磁性薄膜上方，所述圖案具有允許能量化離子穿透的選擇性區(qū)域；
將具有所述圖案于其上的所述基板放置于腔室內(nèi)；
順序地將氦和含硼氣體注入所述腔室，其中所述氦和所述含硼氣體順序地被離子化為等離子體，以將能量化的氦和硼離子植入至所述磁性薄膜的部分內(nèi)，所述磁性薄膜的所述部分與安置于所述基板上的圖案的選擇性區(qū)域相鄰，且其中所述氦離子被植入到所述磁性薄膜內(nèi)的深度大于所述硼離子；及
使與所述選擇性區(qū)域相鄰的所述磁性薄膜的所述部分呈現(xiàn)出與所述磁性薄膜的選擇性的其他部分不同的磁性性質(zhì)。
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