[發明專利]一種提高異質材料界面質量的分子束外延生長方法有效
| 申請號： | 201410246865.6 | 申請日： | 2014-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN104073876B | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發明（設計）人： | 顧溢;張永剛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | C30B25/18 | 分類號： | C30B25/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所31233 | 代理人： | 黃志達 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 材料 界面 質量 分子 外延 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高異質材料界面質量的分子束外延生長方法，其特征在于：
在分子束外延生長異質材料時，先關閉生長前一層材料所需的所有快門，經過t秒后再打開生長后一層材料所需的所有快門，即可；其中，0<t≤0.5。
2.根據權利要求1所述的一種提高異質材料界面質量的分子束外延生長方法，其特征在于：所述異質材料為InGaAs/InAlAs、InGaP/InAlP或InGaAs/AlGaAs。
3.根據權利要求1所述的一種提高異質材料界面質量的分子束外延生長方法，其特征在于：所述異質材料用于多量子阱、超晶格或量子級聯激光器結構。
4.根據權利要求1所述的一種提高異質材料界面質量的分子束外延生長方法，其特征在于：異質材料為InGaP/InAlP，在生長完InAlP后關閉In和Al束源爐的快門，經過0.3秒后再打開In和Ga束源爐的快門。
5.根據權利要求1所述的一種提高異質材料界面質量的分子束外延生長方法，其特征在于：異質材料為InGaAs/InAlAs，在生長完InGaAs后關閉In和Ga束源爐的快門，經過0.5秒后再打開In和Al束源爐的快門。
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