[發(fā)明專利]一種制作低應(yīng)力低翹曲度超薄奇數(shù)層無芯板的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410246593.X | 申請日: | 2014-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN103997862B | 公開(公告)日: | 2017-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于中堯 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/46 | 分類號: | H05K3/46 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制作 應(yīng)力 曲度 超薄 奇數(shù) 層無芯板 方法 | ||
1.一種制作低應(yīng)力低翹曲度超薄奇數(shù)層無芯板的方法,其特征在于,包括:
步驟10:在半固化片雙面各貼附一層銅箔,制作低溫壓合雙面覆銅半固化片;
步驟20:對該低溫壓合雙面覆銅半固化片雙面進(jìn)行光刻、顯影和刻蝕,形成雙面具有電路的半固化片;
步驟30:將該雙面具有電路的半固化片、第二半固化片和第二銅箔由上至下疊加進(jìn)行低溫真空壓合,將頂層半固化片下表面的電路壓合至第二半固化片中,形成一個含有3層金屬2層半固化片的復(fù)合基板結(jié)構(gòu);
步驟40:對該復(fù)合基板結(jié)構(gòu)底層的第二銅箔進(jìn)行光刻、顯影和刻蝕,形成具有3層電路的復(fù)合半固化片;
步驟50:對該具有3層電路的復(fù)合半固化片進(jìn)行高溫真空壓合,使該具有3層電路的復(fù)合半固化片中的2層樹脂完全固化,形成帶有3層金屬電路2層樹脂的無芯基板結(jié)構(gòu);
步驟60:對該帶有3層金屬電路2層樹脂的無芯基板結(jié)構(gòu)進(jìn)行激光鉆孔形成通孔,對該通孔進(jìn)行金屬化處理形成導(dǎo)電過孔,然后雙面制作綠油并綠油開窗,對露出的金屬電路表面進(jìn)行涂敷或噴錫,形成3層金屬電路無芯板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作低應(yīng)力低翹曲度超薄奇數(shù)層無芯板的方法,其特征在于,步驟10中所述在半固化片雙面各貼附一層銅箔,制作低溫壓合雙面覆銅半固化片,包括:
在半固化片雙面各貼附一層銅箔,在100℃-120℃下采用真空壓膜機(jī)對半固化片及其雙面的銅箔進(jìn)行壓合,時間至少1分鐘,形成低溫壓合雙面覆銅半固化片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作低應(yīng)力低翹曲度超薄奇數(shù)層無芯板的方法,其特征在于,所述半固化片由半固化樹脂構(gòu)成,且在該半固化樹脂中含有一層芯板玻纖布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作低應(yīng)力低翹曲度超薄奇數(shù)層無芯板的方法,其特征在于,步驟20中所述對該低溫壓合雙面覆銅半固化片雙面進(jìn)行光刻、顯影和刻蝕,形成雙面具有電路的半固化片,具體包括:
在該低溫壓合雙面覆銅半固化片雙面涂敷光刻膠層,并對光刻膠層進(jìn)行干膜前處理,然后壓干膜;
對壓干膜后的光刻膠層進(jìn)行曝光顯影,形成光刻膠蝕刻掩膜;
以該光刻膠蝕刻掩膜為掩膜對半固化片雙面的銅箔進(jìn)行蝕刻,制作雙面覆銅半固化片雙面電路,形成帶有電路圖形的半固化片;以及
剝離該帶有電路圖形的半固化片雙面的光刻膠,形成雙面具有電路的半固化片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作低應(yīng)力低翹曲度超薄奇數(shù)層無芯板的方法,其特征在于,步驟30中所述低溫真空壓合,是在100℃-120℃下采用真空壓膜機(jī)實(shí)現(xiàn)的,壓合時間至少1分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作低應(yīng)力低翹曲度超薄奇數(shù)層無芯板的方法,其特征在于,步驟40中所述對該復(fù)合基板結(jié)構(gòu)底層的第二銅箔進(jìn)行光刻、顯影和刻蝕,形成具有3層電路的復(fù)合半固化片,具體包括:
在該復(fù)合基板結(jié)構(gòu)雙面涂敷光刻膠層,并對光刻膠層進(jìn)行干膜前處理,然后壓干膜;
對該復(fù)合基板結(jié)構(gòu)底層的第二銅箔表面的干膜進(jìn)行曝光顯影,形成銅箔面電路掩膜;對該復(fù)合基板結(jié)構(gòu)頂層半固化片電路表面的干膜進(jìn)行無掩膜曝光,形成頂層半固化片電路表面的保護(hù)層;
以形成的銅箔面電路掩膜為掩膜,對該復(fù)合基板結(jié)構(gòu)底層的第二銅箔進(jìn)行蝕刻,形成第3層電路;以及
剝離該第3層電路表面的光刻膠以及該復(fù)合基板結(jié)構(gòu)頂層半固化片上表面的保護(hù)層,形成具有3層電路的復(fù)合半固化片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作低應(yīng)力低翹曲度超薄奇數(shù)層無芯板的方法,其特征在于,步驟50中所述對該具有3層電路的復(fù)合半固化片進(jìn)行高溫真空壓合,具體包括:
將該具有3層電路的復(fù)合半固化片雙面用高光潔度離型膜覆蓋,置于高溫壓機(jī)中進(jìn)行高溫真空壓合,溫度為190℃-220℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作低應(yīng)力低翹曲度超薄奇數(shù)層無芯板的方法,其特征在于,所述步驟60包括:
對該帶有3層金屬電路2層樹脂的無芯基板結(jié)構(gòu)進(jìn)行激光鉆孔,形成通孔;
對形成的通孔進(jìn)行金屬化處理,形成導(dǎo)電過孔;
在該帶有3層金屬電路2層樹脂的無芯基板結(jié)構(gòu)的上下表面制作綠油,并綠油開窗,露出該無芯基板結(jié)構(gòu)頂層和底層的金屬電路;以及
在露出的金屬電路表面涂覆NiAu、NiPdAu或OSP,或者在露出的金屬電路表面噴錫,形成3層金屬電路無芯板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院微電子研究所;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司,未經(jīng)中國科學(xué)院微電子研究所;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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