[發(fā)明專利]露點(diǎn)傳感器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410246545.0
• 申請(qǐng)日: 2014-06-05
• 公開（公告）號(hào): CN104048994A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 陳志
• 主分類號(hào): G01N25/66
• 分類號(hào): G01N25/66
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 鄧世燕

1.一種露點(diǎn)傳感器，其特征在于：包括第一電極、絕緣材料層、介質(zhì)敏感材料薄膜層和第二電極，其中：在絕緣材料層上設(shè)置有孔，以及相對(duì)立的第一表面和第二表面，第一表面與第一電極接觸，在第二表面、孔的內(nèi)壁面及孔的底面均勻地覆蓋有介質(zhì)敏感材料薄膜層；在第二表面對(duì)應(yīng)位置處的介質(zhì)敏感材料薄膜層上設(shè)置有第二電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的露點(diǎn)傳感器，其特征在于：所述介質(zhì)敏感材料由二氧化硅、二氧化鉿、二氧化鋯中的一種或者多種構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的露點(diǎn)傳感器，其特征在于：所述孔為通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的露點(diǎn)傳感器，其特征在于：所述第一電極由鋁、鈦、金、鉑、氮化鈦、硅中的一種或者多種構(gòu)成；所述絕緣材料層由α-相氧化鋁、γ-相氧化鋁、非晶氧化鋁、氧化硅、氧化鉿中的一種或者多種構(gòu)成；所述第二電極由鉑、金、鈦、氮化鈦中的一種或者多種構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的露點(diǎn)傳感器，其特征在于：所述絕緣材料層厚度在10納米到50微米之間；所述介質(zhì)敏感材料薄膜厚度在0.5納米到500納米之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的露點(diǎn)傳感器，其特征在于：所述第一電極設(shè)置在基底上；所述基底由玻璃、石英、氧化硅、硅中的一種或者多種制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的露點(diǎn)傳感器，其特征在于：所述絕緣材料層上的孔密度在10%到80%之間；所述孔直徑在5納米到10微米之間。

8.一種露點(diǎn)傳感器的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：在第一電極上沉積或由第一電極本身的一部分轉(zhuǎn)化為具有孔的絕緣材料層；在具有孔的絕緣材料層上沉積介質(zhì)敏感材料薄膜層；在絕緣材料層第二表面對(duì)應(yīng)位置處的介質(zhì)敏感材料薄膜層上沉積第二電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的露點(diǎn)傳感器的制造方法，其特征在于：所述在具有孔的絕緣材料層上沉積介質(zhì)敏感材料薄膜層的沉積方法為原子層沉積方法。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的露點(diǎn)傳感器的制造方法，其特征在于：所述介質(zhì)敏感材料薄膜為二氧化硅薄膜。