[發明專利]NbN-Ag硬質薄膜及制備方法在審
| 申請號: | 201410245844.2 | 申請日: | 2014-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN104032269A | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發明(設計)人: | 許俊華;喻利花;胡紅霞 | 申請(專利權)人: | 江蘇科技大學 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/16;C23C14/18;C04B41/88 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 212003 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | nbn ag 硬質 薄膜 制備 方法 | ||
1.NbN-Ag硬質薄膜,其特征在于是以高純Nb靶和Ag靶為靶材,采用雙靶共焦射頻反應濺射法沉積在硬質合金或陶瓷基體上得到的,薄膜分子式為NbN-Ag,厚度為1~5μm,Ag含量為0~50at.%且大于0,NbN-Ag薄膜的摩擦系數在25℃-700℃范圍隨著溫度升高而降低。
2.根據權利要求1所述的NbN-Ag硬質薄膜,其特征在于所述的硬質合金可以是高速鋼、不銹鋼。
3.根據權利要求1所述的NbN-Ag硬質薄膜,其特征在于所述的Ag含量為0-50at.%且大于0。
4.根據權利要求1所述的NbN-Ag硬質薄膜,其特征在于所述的Ag含量為0-18.97at.%且大于0。
5.NbN-Ag硬質薄膜的制備方法,其特征在于是以高純Nb靶和Ag靶為靶材,利用雙靶共焦射頻反應法在硬質合金或陶瓷基體上沉積1~5μm厚、Ag含量為0~50at.%且大于0的NbN-Ag薄膜,沉積時,真空度<3.0×10-3Pa,以氬氣起弧,氮氣為反應氣體進行沉積;濺射氣壓0.3Pa、氬氮流量比10:(1~10);Nb靶濺射功率100~500W,Ag靶濺射功率0~150W。
6.根據權利要求5所述的NbN-Ag硬質薄膜的制備方法,其特征在于Nb靶濺射功率200W,Ag靶濺射功率0~150W且大于0。
7.根據權利要求5所述的NbN-Ag硬質薄膜的制備方法,其特征在于Nb靶濺射功率200W,Ag靶濺射功率15W-30W。
8.根據權利要求5所述的NbN-Ag硬質薄膜的制備方法,其特征在于Nb靶濺射功率200W,Ag靶最優濺射功率20W。
9.根據權利要求5所述的NbN-Ag硬質薄膜的制備方法,其特征在于在基體上先沉積純Nb作為過渡層。
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