[發明專利]一種鍺n+/p淺結的制備方法

在審

• 申請號: 201410245729.5
• 申請日: 2014-06-05
• 公開（公告）號: CN103996601A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 李成;王塵;陳松巖
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/265
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 馬應森

1.一種鍺n⁺/p淺結的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)在p型Ge襯底上生長SiO₂層；

2)在步驟1)中制備好的SiO₂/p-Ge結構上注入磷離子層，再用氫氟酸緩沖溶液中腐蝕，去掉p-Ge表面SiO₂層；

3)將步驟2)處理后的樣品清洗后，退火處理，再放入充滿氮氣的透明玻璃器皿中，進行單脈沖激光退火，得鍺n⁺/p淺結。

2.如權利要求1所述一種鍺n⁺/p淺結的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述在p型Ge襯底上生長SiO₂層的方法是采用等離子體增強化學氣相淀積系統在p型Ge襯底上生長15nm?SiO₂層。

3.如權利要求1所述一種鍺n⁺/p淺結的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述注入磷離子層的條件為：在能量為10keV，劑量為5×10¹⁴cm^-2注入磷離子層。

4.如權利要求1所述一種鍺n⁺/p淺結的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述退火處理的方法是將步驟2)處理后的樣品清洗后放入退火爐中，在400℃下退火處理10min。

5.如權利要求1所述一種鍺n⁺/p淺結的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述單脈沖激光退火采用248nm?KrF準分子束激光器。

6.如權利要求5所述一種鍺n⁺/p淺結的制備方法，其特征在于所述248nm?KrF準分子束激光器的脈沖持續時間為25ns，激光退火激光光斑大小為4mm×3mm。