[發明專利]電路結構及制造具有增強的接觸通孔電性連接的方法

有效

• 申請號: 201410244402.6
• 申請日: 2014-06-04
• 公開（公告）號: CN104218021B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: G·寧;X·胡;S·坦格拉朱;P·阿克曼
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種電路結構，包含：

導電結構，包含凹下的接觸面，其中，該凹下的接觸面是在該凹下的接觸面的中央區中凹下；以及

多個接觸通孔，小于該導電結構并與該導電結構的該凹下的接觸面電性接觸，該多個接觸通孔包含至少一些大小不同的接觸通孔，其中，至少一個中央區接觸通孔配置于該凹下的接觸面的該中央區上方以及至少一個周圍區接觸通孔配置于該凹下的接觸面的周圍區上方，該至少一個中央區接觸通孔大于該至少一個周圍區接觸通孔。

2.根據權利要求1所述的電路結構，其中，該多個接觸通孔在該導電結構的該凹下的接觸面上方排成陣列。

3.根據權利要求2所述的電路結構，其中，該導電結構包含至少部份在該電路結構的基板內延伸的穿基板通孔，以及該凹下的接觸面包含該穿基板通孔的上表面或下表面的其中之一。

4.根據權利要求2所述的電路結構，其中，該至少一個中央區接觸通孔的尺寸經制作成其直徑及深度各自大于該至少一個周圍區接觸通孔的直徑及深度。

5.根據權利要求4所述的電路結構，其中，該多個接觸通孔包含多個中央區接觸通孔與多個周圍區接觸通孔，所述多個中央區接觸通孔的尺寸經制作成具有大于所述多個周圍區接觸通孔的直徑及深度。

6.根據權利要求5所述的電路結構，其中，該多個接觸通孔進一步包含配置于該導電結構的該凹下的接觸面中至少部份在其之該中央區和該周圍區間的中間區上方的多個中間區接觸通孔，所述多個中間區接觸通孔的尺寸經制作成具有小于所述多個中央區接觸通孔的直徑及深度，以及大于所述多個周圍區接觸通孔的直徑及深度。

7.根據權利要求6所述的電路結構，其中，該多個接觸通孔在該導電結構上方的該電路結構的第一金屬階層溝槽中排成陣列。

8.根據權利要求7所述的電路結構，其中，該第一金屬階層溝槽包含寬度由中央溝槽環朝周圍溝槽環遞減的多個同心溝槽環。

9.根據權利要求8所述的電路結構，其中，所述多個同心溝槽環的不同溝槽環各自容納所述多個中央區接觸通孔、所述多個中間區接觸通孔及所述多個周圍區接觸通孔中的不同者。

10.根據權利要求8所述的電路結構，其中，所述多個同心溝槽環為矩形溝槽環或圓形溝槽環的其中之一。

11.根據權利要求1所述的電路結構，其中，該導電結構及該多個接觸通孔由相同金屬形成。

12.一種制造具有增強的接觸通孔電性連接的方法，該方法包含：

促進形成電路結構，該促進形成包括：

提供包含凹下的接觸面的導電結構，其中，該凹下的接觸面是在該凹下的接觸面的中央區中凹下；以及

形成多個接觸通孔于該導電結構的該凹下的接觸面上方，該多個接觸通孔小于該導電結構并與該導電結構的該凹下的接觸面電性接觸，以及該多個接觸通孔包含至少一些大小不同的接觸通孔，其中，至少一個中央區接觸通孔配置于該凹下的接觸面的該中央區上方以及至少一個周圍區接觸通孔配置于該凹下的接觸面的周圍區上方，該至少一個中央區接觸通孔大于該至少一個周圍區接觸通孔。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，形成該多個接觸通孔包括：將該多個接觸通孔在該導電結構的該凹下的接觸面上方排成陣列。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，該導電結構包含至少部份在該電路結構的基板內延伸的穿基板通孔，以及該凹下的接觸面包含該穿基板通孔的上表面或下表面的其中之一。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，該至少一個中央區接觸通孔的尺寸經制作成其直徑及深度各自大于該至少一個周圍區接觸通孔的直徑及深度。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，該多個接觸通孔包含多個中央區接觸通孔與多個周圍區接觸通孔，所述多個中央區接觸通孔的尺寸經制作成具有大于所述多個周圍區接觸通孔的直徑及深度。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，形成該多個接觸通孔進一步包括：形成配置于該導電結構的該凹下的接觸面中至少部份在其之該中央區和該周圍區間的中間區上方的多個中間區接觸通孔，所述多個中間區接觸通孔的尺寸經制作成具有小于所述多個中央區接觸通孔的直徑及深度，以及大于所述多個周圍區接觸通孔的直徑及深度。